[发明专利]防止在电荷泵电路中的闭锁的半导体器件和方法有效
申请号: | 201380054122.2 | 申请日: | 2013-10-02 |
公开(公告)号: | CN104769717B | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 丹尼尔·亚比斯卓;米切尔·雪弗莱 | 申请(专利权)人: | 商升特公司 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 蒋骏;陈岚 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 防止 电荷 电路 中的 闭锁 半导体器件 方法 | ||
1.一种电荷泵电路,包括:
衬底;
在所述衬底中形成的第一电荷泵单元,所述第一电荷泵单元包括:
在所述衬底中形成的第一阱区,
包括布置在所述第一阱区中的第一导电区和第二导电区的第一晶体管,
在所述衬底中形成且与所述第一阱区分开的第二阱区,
在所述第二阱区内形成的第三阱区,以及
包括布置在所述第三阱区中的第一导电区和第二导电区的第二晶体管,其中所述第二阱区和第三阱区耦合到所述第一电荷泵单元的电压输入;以及
在所述衬底中形成的第二电荷泵单元,所述第二电荷泵单元包括第三晶体管,所述第三晶体管包括布置在所述第二阱区中的第一导电区和第二导电区。
2.如权利要求1所述的电荷泵电路,还包括第一电容器,所述第一电容器包括耦合以接收第一时钟信号的第一端子和在第一节点处耦合到所述第一晶体管的控制端子和所述第二晶体管的控制端子的第二端子。
3.如权利要求2所述的电荷泵电路,其中所述第二晶体管的所述第一导电区通过所述第二阱区耦合到所述第三晶体管的第一导电区。
4.如权利要求3所述的电荷泵电路,还包括:
在所述衬底中形成的第四阱区;
包括布置在所述第四阱区中的第一导电区和第二导电区的第四晶体管;
在所述衬底中形成的第五阱区;
在所述第五阱区内形成的第六阱区;以及
包括布置在所述第六阱区中的第一导电区和第二导电区的第五晶体管,其中所述第五阱区和第六阱区耦合到所述电压输入。
5.如权利要求4所述的电荷泵电路,还包括第二电容器,所述第二电容器包括耦合以接收相对于所述第一时钟信号相反相位的第二时钟信号的第一端子,和在第二节点处耦合到所述第四晶体管的控制端子和所述第五晶体管的控制端子并耦合到所述第一晶体管的所述第一导电区的第二端子,其中所述第五晶体管的所述第一导电区耦合到所述电压输入,且所述第五晶体管的所述第二导电区耦合到所述第四晶体管的所述第一导电区并耦合到所述第一节点,且所述第四晶体管的所述第二导电区耦合到输出端子。
6.一种制造半导体器件的方法,包括:
提供衬底;
通过如下步骤在所述衬底中形成第一电荷泵单元,
在所述衬底中形成第一阱区,
在所述第一阱区内形成第二阱区,
在所述第二阱区中形成第一晶体管,其中所述第一阱区和第二阱区耦合到所述第一电荷泵单元的电压输入端子,
在所述衬底中并与所述第一阱区分离地形成第三阱区,以及
在所述第三阱区中形成第二晶体管,其中所述第三阱区和所述第二晶体管的源极端子耦合到电压输出端子,并且所述第二晶体管的漏极端子耦合到所述第一晶体管的源极端子;以及在所述衬底中形成第二电荷泵单元,所述第二电荷泵单元包括第三晶体管,所述第三晶体管包括设置在所述第一阱区中的第一和第二导电区。
7.如权利要求6所述的方法,还包括:
在所述衬底中形成第四阱区;
在所述第四阱区中形成第三晶体管;
在所述衬底中形成第五阱区;
在所述第五阱区内形成第六阱区;以及
在所述第六阱区中形成第四晶体管,其中所述第五阱区和第六阱区耦合到所述电压输入端子。
8.如权利要求6所述的方法,还包括将所述第二电荷泵单元的输出耦合到所述第一电荷泵单元的输入。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的