[发明专利]磁共振成像装置以及SAR的预测方法有效
申请号: | 201380054221.0 | 申请日: | 2013-11-11 |
公开(公告)号: | CN104736050A | 公开(公告)日: | 2015-06-24 |
发明(设计)人: | 新井浩一;八尾武;佐藤良昭 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立医疗器械 |
主分类号: | A61B5/055 | 分类号: | A61B5/055 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张莉 |
地址: | 日本东京都千代*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁共振 成像 装置 以及 sar 预测 方法 | ||
1.一种磁共振成像装置,具有:静磁场产生部,向摄像空间施加静磁场;床,在所述摄像空间内配置被检测体;倾斜磁场线圈,向所述摄像空间施加倾斜磁场;照射线圈,向所述摄像空间照射高频磁场;接收线圈,接收所述摄像空间的所述被检测体产生的核磁共振信号;以及控制部,根据规定的摄像脉冲序列,控制来自所述倾斜磁场线圈的所述倾斜磁场的施加定时以及来自所述照射线圈的所述高频磁场的照射定时,该磁共振成像装置的特征在于,
所述控制部具备:SAR预测部,使用所述照射线圈的Q值来预测对所述被检测体实施了所述摄像脉冲序列时的比吸收率、即SAR,
所述SAR预测部在所述被检测体配置于所述摄像空间的状态下,从所述照射线圈向所述被检测体照射高频磁场脉冲,检测所述照射线圈的发送电压和反射电压,根据所述发送电压和所述反射电压来求取配置有所述被检测体的状态下的所述照射线圈的Q值,使用求取到的所述Q值来预测所述SAR。
2.根据权利要求1所述的磁共振成像装置,其特征在于,
所述SAR预测部照射的所述高频磁场脉冲具有规定的频率,根据检测到的所述照射线圈的发送电压和反射电压来求取驻波比,根据所述驻波比来求取所述Q值。
3.根据权利要求2所述的磁共振成像装置,其特征在于,
所述SAR预测部根据预先已求取的驻波比与Q值之间的关系,求取与所述驻波比的值相对应的所述Q值。
4.根据权利要求2所述的磁共振成像装置,其特征在于,
所述高频磁场脉冲的频率是水的共振频率。
5.根据权利要求1或2所述的磁共振成像装置,其特征在于,
所述SAR预测部向所述被检测体照射与用于求取所述Q值的高频磁场脉冲不同的、规定频率的高频磁场脉冲,检测所述照射线圈的发送功率和反射功率,使用该发送功率与该反射功率的差分和所述Q值来预测所述SAR。
6.根据权利要求1所述的磁共振成像装置,其特征在于,
所述SAR预测部通过使频率不同来多次照射所述高频磁场脉冲,在每次照射时检测所述照射线圈的发送电压和反射电压,根据所述发送电压和所述反射电压来求取阻抗,根据所述阻抗的最大值来求取所述Q值。
7.根据权利要求6所述的磁共振成像装置,其特征在于,
所述SAR预测部使用所述阻抗变成最大值的频率和所述阻抗变成所述阻抗的最大值的一半值的频率,求取所述Q值。
8.根据权利要求6所述的磁共振成像装置,其特征在于,
所述SAR预测部根据预先已求取的阻抗的最大值与Q值之间的关系,求取与所述阻抗的最大值相对应的所述Q值。
9.根据权利要求1所述的磁共振成像装置,其特征在于,
所述照射线圈连接了提供用于产生所述高频磁场脉冲的高频信号的信号线,在所述信号线上具备用于检测所述照射线圈的发送电压和反射电压的方向性耦合器。
10.一种比吸收率的预测方法,其特征在于,
在将被检测体配置于磁共振成像装置的摄像空间内的状态下,从照射线圈向被检测体照射高频磁场脉冲,检测照射线圈的发送电压和反射电压,
根据所述发送电压和所述反射电压来求取配置有所述被检测体的状态下的所述照射线圈的Q值,使用求取到的所述Q值,求取对被检测体实施了摄像脉冲序列时的比吸收率、即SAR。
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