[发明专利]射频天线与其形成方法以及离子源

权利要求书

1.一种射频(RF)天线，包括：

金属管，具有内径及外径；

高分子管，具有内径及外径，所述高分子管包围低阻值的所述金属管，所述高分子管的所述内径大于低阻值的所述金属管的所述外径；以及

预成形石英玻璃管，容纳低摩擦的所述高分子管及低阻值的所述金属管。

2.根据权利要求1所述的射频(RF)天线，其中所述预成形石英玻璃管具有第一弯曲半径且低阻值的所述金属管具有第二弯曲半径，所述第一弯曲半径实质上等于所述第二弯曲半径。

3.根据权利要求1所述的射频(RF)天线，其中低摩擦的所述高分子管包含全氟烷氧树脂(PFA)。

4.根据权利要求1所述的射频(RF)天线，其中所述预成形石英玻璃管具有对应于低阻值的所述金属管的形状的线圈形状。

5.根据权利要求1所述的射频(RF)天线，还包含在低阻值的所述金属管内循环的冷却剂。

6.一种形成射频(RF)天线的方法，包含：

插入低阻值的空心金属管到弹性、低摩擦的高分子管中，所述高分子管的内径略为大于低阻值的所述金属管的外径；

在低阻值的所述空心金属管的末端内附着导引线；以及

将包含低阻值的所述空心金属管的弹性、低摩擦的所述高分子管穿入预成形石英玻璃管。

7.根据权利要求6所述的形成射频(RF)天线的方法，还包含在将包含低阻值的所述金属管的弹性、低摩擦的所述高分子管穿入所述预成形石英玻璃管之前，在所述预成形石英玻璃管内施加液体润滑剂。

8.根据权利要求6所述的形成射频(RF)天线的方法，其中所述预成形石英玻璃管具有第一弯曲半径且低阻值的所述金属管具有第二弯曲半径，所述第一弯曲半径实质上等于所述第二弯曲半径。

9.根据权利要求6所述的形成射频(RF)天线的方法，其中还包含在低阻值的所述金属管内循环冷却剂。

10.一种离子源，包含：

离子源腔；

射频(RF)天线，配置在所述离子源腔内，所述射频天线包含：

低阻值的金属管，具有内径、外径、第一末端及第二末端；

低摩擦的高分子管，具有内径及外径，所述高分子管包围低阻值的所述金属管，所述高分子管的所述内径略为大于低阻值的所述金属管的所述外径；以及

预成形石英玻璃管，覆盖低摩擦的所述高分子管及低阻值的所述金属管；

冷却剂贮槽，位在所述离子源腔外，所述冷却剂贮槽和低阻值的所述金属管的所述第一末端及所述第二末端的两端耦接，以创造密闭循环路径；以及

电源，位在所述离子源腔外，所述电源和低阻值的所述金属管耦接。

11.根据权利要求10所述的离子源，其中所述预成形石英玻璃管具有第一弯曲半径且低阻值的所述金属管具有第二弯曲半径，所述第一弯曲半径实质上等于所述第二弯曲半径。

12.根据权利要求10所述的离子源，其中低摩擦的所述高分子管包含铁弗龙。

13.根据权利要求10所述的离子源，其中低摩擦的所述高分子管包含全氟烷氧树脂(PFA)。

14.根据权利要求10所述的离子源，其中所述预成形石英玻璃管为线圈形，使得低阻值的所述金属管一旦穿入，低阻值的所述金属管会符合相同的形状。

15.根据权利要求10所述的离子源，其中还包含在低阻值的所述金属管内循环的冷却剂。