[发明专利]通过分子粘附来键合的方法有效
| 申请号： | 201380054314.3 | 申请日： | 2013-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN104737273A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | M·波卡特;阿诺德·卡斯泰 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 吕俊刚;刘久亮 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 通过 分子 粘附 来键合 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种通过分子粘附来键合的方法，所述方法包括以下步骤：
将第一晶片和第二晶片(202、206)定位在气密密封的容器(210)内；
将所述容器(210)抽空到低于或等于400hPa的第一压力(P1)；
通过引入干气(214)将所述容器中的所述压力调整为高于所述第一压力(P1)的第二压力(P2)，所述干气(214)具有低于10000ppm的水浓度；以及
使所述第一晶片和所述第二晶片(202、206)接触，然后在将所述容器(210)保持在所述第二压力(P2)的同时，发起键合波在所述两个晶片之间的传播。
2.根据权利要求1所述的键合方法，其中，所述干气(214)具有低于1000ppm的水浓度。
3.根据前述权利要求中的任一项所述的键合方法，其中，所述干气(214)是来自以下项中的至少一种：氮气、氦气、空气、氩气和氖气。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的键合方法，其中，所述第二压力(P2)为至少1atm。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的键合方法，其中，所述晶片中的至少一个在其键合表面上包括至少一个腔，并且其中，以在键合之后将所述腔中的压力调整为所述第二压力的方式来固定所述第二压力(P2)。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的键合方法，其中，所述晶片是硅晶片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索泰克公司;，未经索泰克公司;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380054314.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：在热工艺中玻璃弯曲的避免
- 下一篇：基板定向腔室
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
