[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201380054450.2 | 申请日： | 2013-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN104704638A | 公开（公告）日： | 2015-06-10 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;须泽英臣;笹川慎也;田中哲弘 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/28;H01L21/316;H01L21/318;H01L21/336;H01L21/365;H01L21/8234;H01L21/8242;H01L21/8247;H01L27/08;H01L27/088;H01L27/105 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 姜冰;姜甜 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1. 一种半导体器件，包括：
基绝缘层；
所述基绝缘层之上的第一氧化物层；
所述第一氧化物层之上的氧化物半导体层；
所述氧化物半导体层之上的第二氧化物层；
第一源电极层和第一漏电极层，它们各自与所述第二氧化物层的顶面相接触；
第二源电极层和第二漏电极层，分别在所述第一源电极层和所述第一漏电极层之上，并且与所述第二氧化物层的顶面相接触；
栅绝缘层，在所述第二源电极层和所述第二漏电极层之上，并且与所述第二源电极层与所述第二漏电极层之间的所述第二氧化物层的顶面相接触；以及
栅电极层，与所述氧化物半导体层重叠，所述栅绝缘层在它们之间被提供，
其中所述基绝缘层和所述栅绝缘层相互接触。
2. 如权利要求1所述的半导体器件，
其中，所述栅电极层与所述第一源电极层和所述第一漏电极层重叠。
3. 如权利要求1所述的半导体器件，
其中，所述栅电极层没有与所述第一源电极层和所述第一漏电极层重叠。
4. 如权利要求1所述的半导体器件，
其中，所述栅电极层与所述第二源电极层和所述第二漏电极层重叠。
5. 如权利要求1所述的半导体器件，
其中所述第二源电极层和所述第二漏电极层分别覆盖所述第一源电极层和所述第一漏电极层。
6. 如权利要求1所述的半导体器件，
所述第一源电极层和所述第一漏电极层与所述第一氧化物层、所述氧化物半导体层和所述第二氧化物层的侧面相接触。
7. 如权利要求1所述的半导体器件，
其中，所述栅电极层具有堆叠层结构。
8. 如权利要求1所述的半导体器件，
其中，所述基绝缘层和所述栅绝缘层包含氧，以及
其中所述第二源电极层和所述第二漏电极层包含氮。
9. 如权利要求8所述的半导体器件，
其中，所述第二源电极层和所述第二漏电极层的每个是金属氮化物膜。
10. 如权利要求1所述的半导体器件，
其中，所述氧化物半导体层包括晶体部分，以及
其中所述晶体部分的c轴与所述氧化物半导体层的表面的法向矢量平行。
11. 一种半导体器件，包括：
基绝缘层；
所述基绝缘层之上的第一氧化物层；
所述第一氧化物层之上的氧化物半导体层；
第一源电极层和第一漏电极层，它们各自与所述氧化物半导体层的顶面相接触；
所述第一源电极层和所述第一漏电极层之上的第二氧化物层；
所述第二氧化物层之上的第二源电极层和第二漏电极层；
栅绝缘层，在所述第二源电极层和所述第二漏电极层之上，并且与所述第二源电极层与所述第二漏电极层之间的所述第二氧化物层的顶面相接触；以及
栅电极层，与所述氧化物半导体层重叠，所述栅绝缘层在它们之间被提供，
其中所述基绝缘层和所述栅绝缘层相互接触。
12. 如权利要求11所述的半导体器件，
其中，所述栅电极层与所述第一源电极层和所述第一漏电极层重叠。
13. 如权利要求11所述的半导体器件，
其中，所述栅电极层没有与所述第一源电极层和所述第一漏电极层重叠。
14. 如权利要求11所述的半导体器件，
其中，所述栅电极层与所述第二源电极层和所述第二漏电极层重叠。
15. 如权利要求11所述的半导体器件，
其中，所述第一源电极层和所述第一漏电极层与所述第一氧化物层和所述氧化物半导体层的侧面相接触。
16. 如权利要求11所述的半导体器件，
其中，所述栅电极层具有堆叠层结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所;，未经株式会社半导体能源研究所;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380054450.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
