[发明专利]用于大分析物阵列的图像捕获在审
申请号: | 201380054608.6 | 申请日: | 2013-10-17 |
公开(公告)号: | CN104937401A | 公开(公告)日: | 2015-09-23 |
发明(设计)人: | J·巴里奇;R·勒迈尔-阿德金斯;D·尼兹;A·诺特柯维奇;P·帕特;R·肖特;S·史沃特;E·思拉什 | 申请(专利权)人: | 生物辐射实验室股份有限公司 |
主分类号: | G01N27/26 | 分类号: | G01N27/26;G01N27/447;G06K9/36 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 李玲 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 分析 阵列 图像 捕获 | ||
1.一种分析多个分析物的方法,所述分析物是可通过光发射检测的并且被设置在由平面基质支撑的二维阵列中,所述平面基质的长度、宽度或长度和宽度两者具有大约3cm的最小值,所述方法包括:
(a)将所述平面基质放置在检测器的5cm之内,所述检测器选自由以下组成的组:
(1)多个固态图像传感器,所述多个固态图像传感器被设置在传感器阵列中并且每个固态图像传感器被定位以形成所述基质的一段的子图像从而使得所述段共同地覆盖所述整个基质,以及计算机,所述计算机用于根据所述图像传感器在所述传感器阵列中的位置对在每个图像传感器处形成的子图像进行组装以形成所述平面基质的图像,整体上作为所述子图像的合成物,以及
(2)设置在一阵列中的多个光敏元件,所述阵列是至少基本上与所述基质同延的,薄膜寻址电路,所述薄膜寻址电路控制所述光敏元件累积能量并控制从所述光敏元件释放能量,以及数据存储介质,所述数据存储介质将从所述光敏元件释放的能量与所述平面基质上的位点进行关联并且整体上从如此释放的所述能量形成所述平面基质的图像;以及
(b)以补偿或消除跨越不代表二维的分析物阵列的所述平面基质图像的光强中的任何不规则的方式整体上由所述检测器产生所述平面基质图像;以及
(c)从如此生成的所述平面基质图像对所述分析物进行分析。
2.根据权利要求1所述的方法,其中步骤(b)包括应用平场校正来补偿或消除所述不规则。
3.根据权利要求1所述的方法,其中所述平面基质是板型凝胶,并且通过所述分析物在所述凝胶中的电泳分离而产生所述二维阵列。
4.根据权利要求1所述的方法,其中所述平面基质是印迹膜,并且所述二维阵列是从板型凝胶转移到所述印迹膜的溶质带的阵列,其中通过所述分析物在所述凝胶中的电泳分离而产生所述带。
5.根据权利要求1所述的方法,其中所述检测器包括多个固态图像传感器,所述多个固态图像传感器被设置在传感器阵列中并且每个固态图像传感器被定位以形成所述基质的一段的子图像从而使得所述段共同地覆盖所述整个基质,以及计算机,所述计算机用于根据所述图像传感器在所述传感器阵列中的位置对在每个图像传感器处形成的所述子图像进行组装以形成所述平面基质的所述图像,所述图像整体上作为所述子图像的合成物。
6.根据权利要求5所述的方法,其中所述固态图像传感器是CCD或CMOS传感器,并且所述计算机包括计算机可读指令,用于对准所述子图像、用于校准所述子图像以及用于合并相邻的子图像之间的重叠区域。
7.根据权利要求1所述的方法,其中所述检测器包括多个光敏元件,所述多个光敏元件被设置在至少基本上与所述基质同延的阵列中,薄膜寻址电路,所述薄膜寻址电路控制所述光敏元件累积能量并控制从所述光敏元件释放能量,以及数据存储介质,所述数据存储介质将从所述光敏元件释放的能量与所述平面基质上的位点进行相关并且整体上从如此释放的所述能量形成所述平面基质的图像。
8.根据权利要求7所述的方法,其中所述光敏元件是光电二极管,并且所述薄膜寻址电路包括薄膜场效应晶体管。
9.根据权利要求5或7所述的方法,其中所述检测器限定一平检测表面,所述方法还包括在步骤(c)之前产生每个子图像的暗信号模式并且从所述平面基质图像减去所述暗信号模式。
10.根据权利要求5或7所述的方法,其中所述检测器限定一平检测表面,所述方法还包括沿着所述平检测表面在选定的位点处测量温度以确定温度模式,产生代表所述温度模式的暗信号模式,并且从所述平面基质图像减去所述暗信号模式。
11.根据权利要求1所述的方法,其中所述检测器由像素组成,并且步骤(b)包括使光从所述平面基质通过光管阵列至所述检测器,每个所述光管将光引导至单个像素。
12.根据权利要求1所述的方法,其中在所述平面基质和所述检测器之间放置透明面板。
13.根据权利要求12所述的方法,其中所述透明面板是光纤面板或光纤锥。
14.根据权利要求12所述的方法,其中所述透明面板的最大厚度是大约10mm。
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