[发明专利]压力传感器装置及压力传感器装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 201380054665.4 申请日: 2013-11-11
公开(公告)号: CN104736984A 公开(公告)日: 2015-06-24
发明(设计)人: 植松克之 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: G01L19/06 分类号: G01L19/06;G01L9/00;H01L29/84
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 孙昌浩;尹淑梅
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 压力传感器 装置 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种压力传感器装置,其特征在于,具备:

传感器芯片,将压力变换为电信号;

树脂壳体,收纳所述传感器芯片;

信号端子,一端露出于所述树脂壳体的内部,经由导线与所述传感器芯片连接,将由所述传感器芯片输出的所述电信号导出到外部;

保护膜,由含氟的聚对二甲苯系聚合物构成,覆盖所述传感器芯片的电极焊盘、所述信号端子的露出于所述树脂壳体的内部的部分、所述导线以及所述树脂壳体的内壁。

2.根据权利要求1所述的压力传感器装置,其特征在于,所述保护膜覆盖所述传感器芯片、所述信号端子的露出于所述树脂壳体的内部的部分、所述导线、以及所述树脂壳体的内壁的露出部分的整个表面。

3.根据权利要求1所述的压力传感器装置,其特征在于,所述保护膜被由氟系胶构成的保护部件覆盖。

4.根据权利要求3所述的压力传感器装置,其特征在于,所述保护部件被填充到所述树脂壳体的内部,

所述传感器芯片、所述信号端子的露出于所述树脂壳体的内部的部分以及所述导线被埋设于所述保护部件。

5.根据权利要求1~4中任一项所述的压力传感器装置,其特征在于,所述传感器芯片是半导体传感器芯片。

6.一种压力传感器装置的制造方法,其特征在于,所述压力传感器具备:传感器芯片,将压力变换为电信号;树脂壳体,收纳所述传感器芯片;信号端子,一端露出于所述树脂壳体的内部,经由导线与所述传感器芯片连接,将由所述传感器芯片输出的所述电信号导出到外部,

所述制造方法包括:

收纳工序,将所述传感器芯片收纳于所述树脂壳体;

连接工序,用导线连接所述传感器芯片与所述信号端子;

被覆工序,利用由含氟的聚对二甲苯系聚合物构成的保护膜覆盖所述传感器芯片的电极焊盘、所述信号端子的露出于所述树脂壳体的内部的部分、所述导线以及所述树脂壳体的内壁。

7.根据权利要求6所述的压力传感器装置的制造方法,其特征在于,在所述被覆工序中,使聚合物分子在减压气氛中,在常温下进行蒸镀而形成所述保护膜,所述聚合物分子是使含氟的聚对二甲苯系聚合物气化而得的气体中所含的聚合物分子。

8.根据权利要求6所述的压力传感器装置的制造方法,其特征在于,在所述被覆工序中,用所述保护膜覆盖所述传感器芯片、所述信号端子的露出于所述树脂壳体的内部的部分、所述导线、以及所述树脂壳体的内壁的露出部分的整个表面。

9.根据权利要求6所述的压力传感器装置的制造方法,其特征在于,在所述被覆工序后,将由氟系胶构成的保护部件填充到所述树脂壳体的内部,将所述传感器芯片、所述信号端子的露出于所述树脂壳体的内部的部分以及所述导线埋设于所述保护部件。

10.根据权利要求9所述的压力传感器装置的制造方法,其特征在于,在所述被覆工序后、填充所述保护部件前,对所述保护膜进行使所述保护膜表面的相对于所述保护部件的润湿性提高的改性处理。

11.根据权利要求6~10中任一项所述的压力传感器装置的制造方法,其特征在于,所述传感器芯片是半导体传感器芯片。

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