[发明专利]光电二极管阵列

权利要求书

1.一种光电二极管阵列，其特征在于：

具备受光区域，所述受光区域包含多个光检测部，

各个所述光检测部具备：

第1导电型的第1半导体区域；

第2导电型的第2半导体区域，其与所述第1半导体区域构成pn结；

第1接触电极，其与所述第2半导体区域接触；

第2接触电极，其具备与所述第1接触电极不同的材料，配置在重叠于所述第1接触电极的位置，并与所述第1接触电极接触；以及

电阻层，其与所述第2接触电极连续。

2.如权利要求1所述的光电二极管阵列，其特征在于：

所述第2接触电极及所述电阻层具备SiCr。

3.如权利要求2所述的光电二极管阵列，其特征在于：

所述电阻层曲线延伸，并连接于信号读出用的配线图案。

4.如权利要求3所述的光电二极管阵列，其特征在于：

所述电阻层的厚度为3nm以上且50nm以下。

5.如权利要求4所述的光电二极管阵列，其特征在于：

所述配线图案包含包围各个所述光检测部的形状，

各个所述第2接触电极位于被所述配线图案包围的各个光检测区域的中央部，

所述电阻层的二维图案包含以在所述第2接触电极的周围旋转的方式延伸的形状。

6.如权利要求1所述的光电二极管阵列，其特征在于：

邻接的所述光检测部的中心间的间隔为20μm以下。

7.如权利要求1所述的光电二极管阵列，其特征在于：

邻接的所述光检测部的中心间的间隔为15μm以下。

8.如权利要求1所述的光电二极管阵列，其特征在于：

邻接的所述光检测部的中心间的间隔为10μm以下。

9.如权利要求1所述的光电二极管阵列，其特征在于：

在光子入射至所述光检测部的情况下，由从赋予来自所述光检测部的输出的强度峰值的时刻到来自所述光检测部的输出达到该强度峰值的37％的时刻为止的期间所规定的恢复时间为10ns以下。

10.一种光电二极管阵列，其特征在于：

具备受光区域，所述受光区域包含多个光检测部，

各个所述光检测部具备：

第1半导体区域；

第2半导体区域，其形成在所述第1半导体区域的内侧且构成光检测通道；

电阻层，其电连接于所述第2半导体区域；以及

信号读出用的配线图案，其电连接于所述电阻层，

所述电阻层经由绝缘层而位于所述第2半导体区域上，

所述配线图案俯视时包围所述第2半导体区域的周围。

11.如权利要求10所述的光电二极管阵列，其特征在于：

所述电阻层以在俯视时覆盖所述第1半导体区域与所述第2半导体区域之间的边界的方式配置。