[发明专利]具有噪声拆分的放大器

权利要求书

1.一种单输入多输出低噪声放大器，包括：

多个放大器电路，被配置成接收输入射频RF信号；以及

至少一个互连电路，被配置成短接耦合至所述至少一个互连电路的所述多个放大器电路中的至少两个放大器电路，

其中所述多个放大器电路包括第一和第二放大器电路，所述第一放大器电路包括第一增益晶体管和第一共源共栅晶体管，而所述第二放大器电路包括第二增益晶体管和第二共源共栅晶体管，以及

其中所述至少一个互连电路包括：

第三共源共栅晶体管，其耦合在所述第一增益晶体管的漏极与所述第二共源共栅晶体管的漏极之间；以及

第四共源共栅晶体管，其耦合在所述第二增益晶体管的漏极与所述第一共源共栅晶体管的漏极之间；或者

耦合在所述第一和第二共源共栅晶体管的漏极之间的开关，所述开关在所述第一和第二放大器电路两者被启用时被闭合。

2.如权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述多个放大器电路包括多个增益电路和多个电流缓冲器，每个放大器电路具有一个增益电路和一个电流缓冲器。

3.如权利要求2所述的低噪声放大器，其特征在于，每个放大器电路被配置成提供输出电流，所述输出电流包括在所述多个放大器电路被启用以放大所述输入RF信号并提供多个输出RF信号时来自所述多个增益电路中的每个增益电路的电流的一部分。

4.如权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述至少一个互连电路被配置成在所述多个放大器电路被启用时短接所述多个放大器电路的输出端。

5.如权利要求2所述的低噪声放大器，其特征在于，所述至少一个互连电路被配置成在所述多个放大器电路被启用时短接所述多个增益电路的输出端。

6.如权利要求2所述的低噪声放大器，其特征在于，所述至少一个互连电路包括：

耦合在所述多个增益电路与所述多个电流缓冲器之间的多个共源共栅晶体管，每个共源共栅晶体管被耦合在一个放大器电路中的增益电路与另一放大器电路中的电流缓冲器之间，所述多个共源共栅晶体管在所述多个放大器电路被启用时被导通。

7.如权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述多个放大器电路中的一个放大器电路被配置成在所述一个放大器电路被启用并且所述多个放大器电路中的其余各个放大器电路被禁用时放大所述输入RF信号并提供输出RF信号。

8.如权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述开关仅在所述第一或第二放大器电路被启用时被断开。

9.如权利要求8所述的低噪声放大器，其特征在于，所述开关包括：

第一晶体管，其耦合在所述第一共源共栅晶体管的漏极与中间节点之间；

第二晶体管，其耦合在所述中间节点与所述第二共源共栅晶体管的漏极之间；以及

第三晶体管，其耦合在所述中间节点与电路接地之间。

10.如权利要求8所述的低噪声放大器，其特征在于，所述开关包括：

晶体管，其耦合在所述第一和第二共源共栅晶体管的漏极之间。

11.如权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述至少一个互连电路包括耦合在所述第一和第二增益晶体管的漏极之间的电容器，当所述第一放大器电路被启用时所述第一共源共栅晶体管被导通并且所述第二共源共栅晶体管被截止，当所述第二放大器电路被启用时所述第二共源共栅晶体管被导通并且所述第一共源共栅晶体管被截止，并且当所述第一和第二放大器电路被启用时所述第一和第二共源共栅晶体管两者被导通。

12.如权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第三和第四共源共栅晶体管在所述第一和第二放大器电路两者被启用时被导通。