[发明专利]发光装置

权利要求书

1.一种发光装置，其包含：

第一导电半导体层；

在所述第一导电半导体层上的氮化镓基超晶格层；

在所述氮化镓基超晶格层上的有源层；

在所述有源层上的第二导电氮化镓基层；和

在所述第二导电氮化镓基层上的第二导电半导体层，

其中所述第二导电氮化镓基层包含在所述有源层上的第二导电Al_xGa_(1-x)N/Al_yGa_(1-y)N超晶格层(其中0＜x＜1，0＜y＜1)。

2.权利要求1的发光装置，其中在所述第二导电Al_xGa_(1-x)N/Al_yGa_(1-y)N超晶格层中，在Al_xGa_(1-x)N中的Al的浓度(x)高于在Al_yGa_(1-y)N中的Al的浓度(y)。

3.权利要求2的发光装置，其中所述第二导电Al_xGa_(1-x)N/Al_yGa_(1-y)N超晶格层具有多个循环，以及

在所述Al_xGa_(1-x)N中的Al的浓度(x)和在所述Al_yGa_(1-y)N中的Al的浓度(y)为恒定的。

4.权利要求2的发光装置，其中所述第二导电Al_xGa_(1-x)N/Al_yGa_(1-y)N超晶格层具有多个循环，

在所述Al_xGa_(1-x)N中的Al的浓度(x)从所述有源层向所述第二导电半导体层增加并减少，以及

在Al_yGa_(1-y)N中的Al的浓度(y)为恒定的。

5.权利要求4的发光装置，其中所述第二导电Al_xGa_(1-x)N/Al_yGa_(1-y)N超晶格层包含依次层压的第二导电第一Al_x1Ga_(1-x1)N/Al_yGa_(1-y)N超晶格层、第二导电第二Al_x2Ga_(1-x2)N/Al_yGa_(1-y)N超晶格层、第二导电第三Al_x3Ga_(1-x3)N/Al_yGa_(1-y)N超晶格层和第二导电第四Al_x4Ga_(1-x4)N/Al_yGa_(1-y)N超晶格层。

6.权利要求5的发光装置，其中在所述第二导电第一Al_x1Ga_(1-x1)N/Al_yGa_(1-y)N超晶格层的Al_x1Ga_(1-x1)N中的Al的浓度(x1)低于在所述第二导电第二Al_x2Ga_(1-x2)N/Al_yGa_(1-y)N超晶格层的Al_x2Ga_(1-x2)N中的Al的浓度(x2)。

7.权利要求5的发光装置，其中在所述第二导电第四Al_x4Ga_(1-x4)N/Al_yGa_(1-y)N超晶格层的Al_x4Ga_(1-x4)N中的Al的浓度(x4)低于在所述第二导电第三Al_x3Ga_(1-x3)N/Al_yGa_(1-y)N超晶格层的Al_x3Ga_(1-x3)N中的Al的浓度(x3)。