[发明专利]基板处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及对被处理基板进行溅射、CVD、蚀刻等处理的真空处理装置等的基板处理装置，尤其是涉及在基板处理装置中使用了一面保持被处理基板一面进行搬运的基板托盘的基板处理装置。

背景技术

在真空处理装置中，为了提高生产率，将多张基板处理同时搬运至处理室，或为了不变更装置构成地处理外形尺寸不同的基板，使用可以保持基板并进行搬运的基板托盘。

图12A～12C是表示以往的基板托盘的第1例(参照专利文献1)。图12A～12C表示具备用于保持小的基板的锪孔702，示出了呈碟形状的基板托盘701。通过图12A～12C所记载的保持托盘701，8寸、6寸这样小的基板也可以设置在直径12寸用基板处理装置。

图13A、13B表示以往的基板搬运用托盘的第2例(参照专利文献2)。图13A、13B表示由具有绝缘性并且具有柔软性的物质805构成了由具有凹部802且热传导性优良的物质所构成的托盘本体801的一部分表面的基板托盘801。在图13A、13B中，803是上推用销通过的贯通孔，804是用于吸附基板的贯通孔，806是具有耐蚀性或耐溅射性的物质。在通过图13A、13B所记载的基板搬运用托盘时，可使基板和托盘本体801之间的密接性及热传导性变好，通过使基板的温度均匀，可以缩小电路图案的线宽等偏差。

另外，在成膜装置等真空处理装置中，需要根据处理内容进行处理中的基板的温度管理。因此，一般使用如下的技术，即，通过使用冷却水等的温度控制部件对保持基板、基板托盘的保持器进行温度控制，并通过与该保持器的热传递，进行基板的温度管理。

但是，在真空中，与在大气中相比，热传导效率在零件和零件的微小的间隙中恶化。因此，真空处理装置，尤其是在溅射装置等工艺压力低的装置中，为了进行成膜等真空处理中的基板的温度管理，需要通过例如对基板的背面、托盘的背面供给冷却气体等热传递介质的方法等，改善被温度调整的保持器和基板之间的热传导效率。

图14表示以往的基板搬运用托盘的第3例(参照专利文献3)。图14公开了基板搬运用托盘901，其具备有在基板载置面形成对应于基板S的外形的至少一个凹部911，并在该凹部911的底面配置环状的密封部件902；和对密封部件902推压通过落入凹部911而被设置的基板5的外周缘部的推压部件903。并且，在图14所记载的基板搬运用托盘901中，开设有与凹部911连通的至少一条气体通路913a、913b，作为密封部件902发挥功能的O型环902被形成在凹部911的底面911a，被配置在具有比O型环902的线径大的宽度的环状槽912。并且，在图14中，B为螺栓，S为基板，911b为基板S背面和凹部911底面之间的空间，931为中央开口。

图15表示将基板收容于基板收容孔的托盘配置在基板承载器上，以高效率冷却托盘的等离子处理装置的第4例(参照专利文献4)。图15的等离子处理装置通过由夹紧环600所产生的推压，利用O型环606、607A～607B将托盘615的下面615c和托盘支撑面628之间的空间密闭。并且，在图15中，615a为托盘本体，615b为上面，615c为下面，615d为孔壁，615e为定位缺口，619A～619D为基板收容孔，621为基板支撑部，621a为上面，621b为前端面，623为电介体板，625为间隔物板，626为引导筒体，627为接地屏蔽，628为托盘支撑面，629A～629D为基板载置部，631为基板载置面，636为圆形开口，643为直流电压施加机构，644为供给孔，645为导热气体供给机构，600为夹紧环，604、605A～605D为收容槽，606、607A～607D为O型环，608A、608B为供给孔。

先行技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-021686号公报

专利文献2：日本特开2002-313891号公报

专利文献3：日本特开2010-177267号公报

专利文献4：日本特开2010-225775号公报

发明内容

发明要解决的课题