[发明专利]摄像装置、内窥镜、半导体装置以及半导体装置的制造方法在审
申请号: | 201380055442.X | 申请日: | 2013-10-04 |
公开(公告)号: | CN104769720A | 公开(公告)日: | 2015-07-08 |
发明(设计)人: | 吉田和洋;中山高志 | 申请(专利权)人: | 奥林巴斯株式会社 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H04N5/335 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 摄像 装置 内窥镜 半导体 以及 制造 方法 | ||
1.一种摄像装置,其特征在于,具备:
摄像元件芯片,其在正面具有摄像部,在背面具有经由贯穿布线而与所述摄像部连接的接合端子;
信号缆线,其具有与所述摄像部连接的导线;以及
布线板,其由中央部和从所述中央部延伸设置的多个延伸设置部构成,并具有:形成在所述中央部的与所述接合端子接合的接合电极、形成在所述延伸设置部的与所述导线接合的端子电极、连接所述接合电极和所述端子电极的布线、以及形成在未形成有所述接合电极、所述端子电极和所述布线的区域中的传热图案,通过使所述延伸设置部折弯而将该布线板配置在所述摄像元件芯片的投影面内。
2.根据权利要求1所述的摄像装置,其特征在于,
所述摄像元件芯片在背面具有与所述接合端子相同形状的、未与所述摄像部连接的虚设接合端子,
所述布线板具有与所述接合电极相同形状的、与所述虚设接合端子接合的虚设接合电极。
3.根据权利要求2所述的摄像装置,其特征在于,
所述布线板的所述传热图案与所述信号缆线的接地电位的导线连接。
4.根据权利要求3所述的摄像装置,其特征在于,
所述布线板是在第1主面和第2主面上具有布线层的两面布线板,
在所述第1主面上具有作为向所述摄像部提供电力的布线的电源布线、作为向所述摄像部提供脉冲信号的布线的脉冲布线、以及所述传热图案,
在所述第2主面上具有作为与所述摄像部之间发送接收信号的布线的信号布线。
5.根据权利要求4所述的摄像装置,其特征在于,
所述布线板在所述第2主面上具有第2传热图案。
6.根据权利要求3所述的摄像装置,其特征在于,
所述布线板具有从所述中央部向相互垂直的方向延伸设置的3个或4个所述延伸设置部,并且在至少一个所述延伸设置部上形成有所述多个端子电极和所述多个布线,并在至少一个所述延伸设置部上形成有所述传热图案。
7.根据权利要求3所述的摄像装置,其特征在于,
所述摄像装置具备由金属构成的外筒部,该外筒部收纳所述摄像元件芯片、所述布线板、以及所述信号缆线的一部分,
所述传热图案的一部分与所述外筒部的内表面相抵接。
8.根据权利要求7所述的摄像装置,其特征在于,
该摄像装置具备与所述延伸设置部的主面相抵接的传热部件。
9.根据权利要求7所述的摄像装置,其特征在于,
所述信号缆线具有屏蔽线,
所述屏蔽线与所述传热部件和所述外筒部相接合。
10.一种内窥镜,其特征在于,具备:
插入部,其前端部配设有权利要求1至权利要求9中的任意一项所述的摄像装置;
操作部,其配设于所述插入部的基端侧;以及
通用缆线,其从所述操作部延伸出来。
11.一种半导体装置,其特征在于,具备:
半导体元件芯片,其具有第1主面和第2主面;
布线板,其安装在所述半导体元件芯片的所述第2主面上,被弯曲成从所述半导体元件芯片的厚度方向俯视时其整体与所述半导体元件芯片相重合;以及
树脂,其被填充在所述半导体元件芯片的所述第2主面与所述布线板的安装至所述第2主面的安装面之间的空间中,并且,位于从所述厚度方向俯视所述半导体元件芯片时其整体与所述半导体元件芯片相重合的位置上,
所述树脂从所述空间沿着所述布线板的形成有所述安装面的外周面上的弯曲部向在所述厚度方向上比所述安装面远离所述第2主面的方向溢出。
12.根据权利要求11所述的半导体装置,其特征在于,
所述弯曲部的供所述树脂附着的面被实施了亲水性处理。
13.根据权利要求11或12所述的半导体装置,其特征在于,
在所述布线板的内周面配设有用于固定所述布线板的弯曲形状的加强树脂。
14.根据权利要求11或12所述的半导体装置,其特征在于,
在所述布线板的内周面上配设有散热部件,该散热部件用于固定所述布线板的弯曲形状,并且对从所述半导体元件芯片经由所述布线板而被传来的热量进行散热。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的