[发明专利]包含无机磷酸盐的掺杂组合物在审
申请号: | 201380055446.8 | 申请日: | 2013-10-25 |
公开(公告)号: | CN104756234A | 公开(公告)日: | 2015-07-01 |
发明(设计)人: | E·V·罗戈吉纳 | 申请(专利权)人: | E.I.内穆尔杜邦公司 |
主分类号: | H01L21/22 | 分类号: | H01L21/22;H01L21/228;H01L31/18 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 江磊;朱黎明 |
地址: | 美国特*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包含 无机 磷酸盐 掺杂 组合 | ||
1.一种半导体掺杂方法,包括:
(A)获得包含半导体材料的基板,以及
(B)使所述基板的表面的至少一部分与有效量的掺杂组合物接触,所述掺杂组合物包含:a)溶剂和b)分散在所述溶剂中的含磷的酸的无机盐。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述基板包含硅。
3.根据权利要求1所述的方法,其中所述含磷的酸为正磷酸。
4.根据权利要求1所述的方法,其中所述含磷的酸为偏磷酸。
5.根据权利要求1所述的方法,其中所述含磷的酸为焦磷酸。
6.根据权利要求1所述的方法,其中所述盐为所述含磷的酸的金属盐。
7.根据权利要求1所述的方法,其中所述盐为所述含磷的酸的酸性盐。
8.根据权利要求1所述的方法,其中所述盐选自:Al(H2PO4)3、Al(PO3)3、Ca3(PO4)2、CaHPO4、Ca(H2PO4)2、Ca2P2O7、MgHPO4、Mg3(PO4)2、Zr(HPO4)2、Na4P2O7以及它们的组合。
9.根据权利要求1所述的方法,其中所述掺杂组合物为非牛顿流体。
10.根据权利要求1所述的方法,其中所述掺杂组合物不包含含磷的酸或磷氧化物。
11.根据权利要求1所述的方法,其中所述溶剂为有机溶剂。
12.根据权利要求1所述的方法,其中所述溶剂选自:醇、醛、酮、羧酸、酯、胺、有机硅氧烷、卤代烃、烃以及它们的组合。
13.根据权利要求1所述的方法,其中所述掺杂组合物还包含粘合聚合物。
14.根据权利要求11所述的方法,其中所述粘合聚合物选自聚丙烯酸酯、聚缩醛、聚乙烯、纤维素、纤维素醚和酯、以及它们的共聚物。
15.根据权利要求1所述的方法,其中所述掺杂组合物还包含基体材料。
16.根据权利要求13所述的方法,其中所述基体材料包含纳米颗粒。
17.根据权利要求1所述的方法,所述方法还包括加热所述基板,其中所述加热导致所述无机盐的磷原子扩散到所述基板中。
18.根据权利要求1所述的方法,其中所述接触包括将所述掺杂组合物印刷在所述基板的表面的至少一部分上。
19.根据权利要求16所述的方法,其中所述印刷包括丝网印刷。
20.根据权利要求1所述的方法,其中所述接触使得所述基板的表面的第一部分被所述掺杂组合物覆盖,然而所述基板的表面的第二部分不被所述掺杂组合物覆盖。
21.根据权利要求18所述的方法,所述方法还包括加热所述基板,其中所述加热导致所述基板的表面的第一部分与所述无机盐的磷原子掺杂,并且其中所述基板的表面的第二部分不被显著掺杂。
22.一种半导体掺杂方法,包括:
(A)获得包含半导体材料的基板,以及
(B)使所述基板的表面的至少一部分与有效量的磷酸的无机盐接触,其中所述盐选自:Al(H2PO4)3、Al(PO3)3、Ca3(PO4)2、CaHPO4、Ca(H2PO4)2、Ca2P2O7、MgHPO4、Mg3(PO4)2、Zr(HPO4)2、Na4P2O7以及它们的组合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造