[发明专利]宽广共模范围传输门有效

专利信息
申请号: 201380056878.0 申请日: 2013-11-15
公开(公告)号: CN104769844B 公开(公告)日: 2018-05-29
发明(设计)人: 西格弗雷多·埃玛努埃尔·冈萨雷斯迪亚斯 申请(专利权)人: 德州仪器公司
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 林斯凯
地址: 美国德*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 晶体管 匹配晶体管 电压输入节点 恒定 偏置电流 栅极偏置 传输门 电流源 配置 模拟输入信号 高输入信号 栅极氧化物 偏置电压 信号路径 源极电压 组晶体管 电流宿 自偏置 共模 偏置 输出 传递 吸收
【权利要求书】:

1.一种传输门电路设备,其包括:

模拟输入线;

模拟输出线;

第一晶体管,其具有电连接到所述模拟输入线的第一漏极、电连接到电压输入节点的第一栅极及电连接到模拟信号节点的第一源极;

第二晶体管;

第三晶体管;

其中所述第二晶体管及所述第三晶体管电连接在所述电压输入节点与所述模拟信号节点之间,其中:

所述第二晶体管具有电连接到所述电压输入节点的第二漏极及第二栅极,且

所述第三晶体管具有两者均电连接到所述第二晶体管的第二源极的第三漏极及第三栅极,以及电连接到所述模拟信号节点的第三源极;

第四晶体管,其具有电连接到所述模拟信号节点的第四源极、电连接到所述电压输入节点的第四栅极及电连接到所述模拟输出线的第四漏极;

电流源,其经电连接以将偏置电流提供到所述电压输入节点中;以及

电流宿,其经电连接以从所述模拟信号节点吸收电流。

2.根据权利要求1所述的设备,其进一步包括具有电连接到所述模拟信号节点的阳极且具有电连接到所述电压输入节点的阴极的二极管。

3.根据权利要求1所述的设备,其进一步包括:

第一晶体管二极管,其具有电连接到所述第一晶体管的所述第一源极及第一本体的阳极以及电连接到所述第一漏极的阴极;以及

第四晶体管二极管,其具有电连接到所述第四晶体管的所述第四源极及第四本体的阳极以及电连接到所述第四漏极的阴极。

4.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管及所述第四晶体管为高电压匹配晶体管。

5.根据权利要求1所述的设备,其中所述电流宿经配置以吸收用于对所述第二晶体管及所述第三晶体管进行偏置的电流,以允许通过由所述模拟输入线接收的信号确定所述模拟信号节点的信号。

6.根据权利要求1所述的设备,其进一步包括低压降调节器电路,所述低压降调节器电路包括:

第五晶体管,其具有电连接到低压降调节器输入线的第五漏极、电连接到所述模拟输出线的第五栅极以及电连接到低压降调节器输出线及分压器的第五源极;以及

误差放大器电路,其电连接到所述分压器且经配置以将来自所述分压器的信号与参考电压进行比较并将反馈信号输出到所述模拟输入线。

7.一种操作传输门电路设备的方法,所述方法包括:

在传输门电路的电压输入节点处接收偏置电流;

从所述电压输入节点对第一晶体管、第二晶体管及第四晶体管进行偏置;

用来自所述第二晶体管的第二源极的电流对第三晶体管进行偏置;以及

从电连接到所述第一晶体管的第一源极、所述第三晶体管的第三源极及所述第四晶体管的第四源极的模拟信号节点吸收电流,以将所述电压输入节点强制到为所述第二晶体管及所述第三晶体管的栅极到源极电压的两倍的偏置信号,所述偏置信号也将所述第一晶体管及所述第四晶体管偏置到所述第一晶体管及所述第四晶体管的栅极到源极电压的两倍。

8.根据权利要求7所述的方法,其进一步包括:

在所述第一晶体管的第一漏极处接收模拟输入信号;以及

在电连接到所述第四晶体管的第四漏极的模拟输出线处输出对应于所述模拟输入信号的模拟输出信号。

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