[发明专利]光电子半导体构件

说明书

技术领域

本发明涉及一种根据专利权利要求1所述的光电子半导体构件以及一种根据专利权利要求10所述的用于制造光电子半导体构件的方法。

明确地构成本申请的公开内容的一部分的德国优先权申请DE 10 2012 215 524.4同样描述一种光电子半导体构件和一种用于制造光电子半导体构件的方法。

背景技术

从DE 10 2009 036 621 A1中已知一种用于制造光电子半导体构件的方法，其中将光电子半导体芯片嵌入到模制体中，所述模制体覆盖光电子半导体芯片的全部侧面。光电子半导体芯片的上侧和下侧优选地露出。在每个半导体芯片的上侧和/或下侧上能够设有接触部位。电通孔接触能够连同光电子半导体芯片一起嵌入到模制体中。借助于模制体的表面上的导电连接，半导体芯片的接触部位能够与通孔接触导电连接。

发明内容

本发明的任务在于，提供一种光电子半导体构件。所述任务通过具有权利要求1的特征的光电子半导体构件来解决。本发明的另一个任务在于，说明一种用于制造光电子半导体构件的方法。所述任务通过具有权利要求10的特征的方法来解决。改进方案在从属权利要求中被说明。

光电子半导体构件包括光电子半导体芯片，所述光电子半导体芯片嵌入到具有上侧和下侧的电绝缘的模制体中。在此，通孔接触部嵌入到模制体中，所述通孔接触部形成模制体的上侧和下侧之间的导电连接。此外，在模制体的上侧上布置有反射层，所述反射层形成半导体芯片的电接触部和通孔接触部之间的导电连接。反射层在此覆盖模制体的上侧的至少50%。有利地，反射层在该光电子半导体构件中同时满足形成半导体芯片的电接触部和通孔接触部之间的导电连接的功能和将光电子半导体构件的模制体的上侧反射性地构造、即镜面化的功能。半导体构件的模制体的反射性的上侧防止光吸收到模制体的材料中，这有利地提高光电子半导体构件的有效可用的发光功率。模制体的上侧上的反射层的双重功能允许光电子半导体构件非常紧凑地构造并且成本适当地制造。通过在半导体芯片的电接触部和通孔接触部之间借助反射层形成导电连接，光电子半导体构件此外与在使用接合线的情况下相比是更加鲁棒的。

在光电子半导体构件的一个实施方式中，半导体芯片的上侧与模制体的上侧以相同的方向定向。在此，半导体芯片的上侧是半导体芯片的辐射出射面。在此，半导体芯片的上侧的至少一部分既不通过模制体、又不通过反射层覆盖。从光电子半导体芯片的光耦合输出在该半导体构件中能够通过半导体芯片的上侧进行，而辐射出射不通过模制体或反射层妨碍或限制。

在光电子半导体构件的一个实施方式中，在半导体芯片的电接触部和通孔接触部之间的导电连接的区域中，在模制体的上侧和反射层之间布置有电介质。有利地，电介质防止光电子半导体芯片的引导电势的区域和反射层之间的火花放电或电短路。有利地，电介质能够通过简单且成本适当的工艺布置在模制体的上侧上。

在光电子半导体构件的一个实施方式中，电介质具有苯并环丁烯。有利地，这能够实现电介质的简单的加工。此外，苯并环丁烯具有足够的电击穿强度。

在光电子半导体构件的一个实施方式中，电介质具有在50nm和500nm之间的厚度。有利地，于是电介质在典型地在光电子半导体构件运行时产生的电压下提供足够的绝缘强度。

在光电子半导体构件的一个实施方式中，反射层的第一部段与反射层的第二部段电绝缘。在此，第一部段形成半导体芯片的电接触部和通孔接触部之间的导电连接。有利地，反射层的第一部段和第二部段在光电子半导体构件运行时于是能够处于不同的电势上。尽管如此，反射层的第一部段和第二部段能够有利地共同制造，由此光电子半导体构件可简单地且成本适当地获得。

在光电子半导体构件的一个实施方式中，模制体覆盖半导体芯片的上侧的一部分。有利地，在该实施方式中，模制体的覆盖半导体芯片的上侧的部分能够在半导体芯片的电接触部和通孔接触部之间的导电连接和光电子半导体构件的引导电势的部段之间提供电绝缘，由此防止火花放电和短路。

在光电子半导体构件的一个实施方式中，模制体在半导体芯片的上侧的部分上具有在50nm和500nm之间的厚度。有利地，在该半导体构件中，模制体的覆盖半导体芯片的上侧的部分的部分对于通常在光电子半导体芯片运行时出现的电压形成足够的电击穿强度。

在光电子半导体构件的一个实施方式中，反射层具有银或铝。有利地，反射层在该实施方式中提供高的光学反射率和良好的导电性。