[发明专利]用于确定反射镜元件的取向的监视系统和EUV光刻系统有效

专利信息
申请号: 201380057059.8 申请日: 2013-10-07
公开(公告)号: CN104769501A 公开(公告)日: 2015-07-08
发明(设计)人: J.万格勒;J.艾森门格;M.德冈瑟;M.帕特拉 申请(专利权)人: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G02B26/08
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈金林
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 用于 确定 反射 元件 取向 监视 系统 euv 光刻
【权利要求书】:

1.一种光学系统,包括:

反射镜系统(19),包括多个反射镜元件(23),其中,所述反射镜元件的取向能够独立于彼此设定;以及

监视系统(52),构造成确定所述反射镜元件(23)的取向,其中,所述监视系统包括:

监视辐射源(57),构造成以具有多个不同波长的光(55)照明所述多个反射镜元件;

监视透镜(59),具有物平面(61)、像平面(63)以及布置在所述物平面和所述像平面之间的光瞳平面(77);

滤色器(78),在不同位置处具有彼此不同的依赖于波长的透射属性;以及

空间解析和波长解析光检测器(67),具有检测区(65);

其中,所述反射镜元件(23)布置在所述监视透镜(59)的物平面(61)的区域中;

其中,所述光检测器(67)的检测区(65)布置在所述监视透镜(59)的像平面(63)的区域中;以及

其中,所述滤色器(78)布置在所述监视透镜(59)的光瞳平面(77)的区域中。

2.如权利要求1所述的光学系统,还包括控制器,所述控制器构造成分析由所述光检测器检测的光强,并确定所述反射镜元件的取向,其中,根据在所述检测器的检测区上的与相应反射镜元件相关联的位置处检测的波长,确定每个单独反射镜元件的取向。

3.如权利要求2所述的光学系统,其中,所述反射镜系统包括多个致动器,所述多个致动器构造成改变所述反射镜元件中的至少一些相对于其它反射镜元件的取向,其中,所述控制器还构造成基于所确定的所述反射镜元件中的至少一个的取向来致动所述致动器。

4.如权利要求1至3任一项所述的光学系统,其中,所述监视辐射源具有小于2.0mm,尤其小于1.0mm的直径。

5.如权利要求1至4任一项所述的光学系统,其中,所述监视系统包括布置成彼此相距一距离的多个监视辐射源。

6.如权利要求5所述的光学系统,其中,所述多个监视辐射源各自发射具有预定时间强度调制的辐射,并且其中,至少两个监视辐射源的时间强度调制彼此不同。

7.如权利要求1至6任一项所述的光学系统,其中,所述监视系统包括多个监视透镜、多个滤色器和多个光检测器,

其中,所述反射镜元件布置在所述监视透镜的每个单独一个的物平面的区域中;

其中,所述多个光检测器的每个的检测区布置在所述监视透镜的每个的像平面的区域中;以及

其中,所述多个滤色器之一布置在所述监视透镜的每个的光瞳平面的区域中。

8.如权利要求1至7任一项所述的光学系统,其中,在所述检测区的上游光路中布置带孔掩模,并且其中,所述带孔掩模的孔布置在对应于所述反射镜元件的位置的位置处。

9.如权利要求1至8任一项所述的光学系统,其中,所述滤色器对于至少一个波长具有线性的空间依赖分布,在该分布中,所述滤色器对所述至少一个波长的光的透射率的值随着所述滤色器上的空间坐标的值而线性地变化。

10.一种具有EUV光路的EUV光刻系统,其中,所述EUV光刻系统包括:

成像光学单元,布置在所述EUV光路中,并构造成将物平面成像至像平面中,在所述物平面中能够布置要成像的结构,在所述像平面中能够布置辐射敏感结构;

根据权利要求1至9之一所述的光学系统;以及

EUV辐射源;

其中,所述反射镜系统的反射镜元件布置在所述EUV辐射源和所述成像光学单元的物平面之间的EUV光路中。

11.如权利要求10所述的EUV光刻系统,其中,所述反射镜系统具有多于1000个反射镜元件。

12.如权利要求10或11所述的EUV光刻系统,其中,在总反射镜区内彼此相邻地布置所述反射镜元件的反射镜区,其中,所述总反射镜区的直径大于100mm,尤其大于150mm。

13.如权利要求10至12任一项所述的EUV光刻系统,其中,所述反射镜元件的反射镜区分别具有小于1mm2的面积。

14.如权利要求10至13任一项所述的EUV光刻系统,其中,所述反射镜元件的至少一个的取向能够改变多于±0.05弧度或多于±0.1弧度。

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