[发明专利]成膜掩膜有效
申请号: | 201380057122.8 | 申请日: | 2013-07-18 |
公开(公告)号: | CN104755648B | 公开(公告)日: | 2018-04-03 |
发明(设计)人: | 水村通伸 | 申请(专利权)人: | 株式会社V技术 |
主分类号: | C23C14/04 | 分类号: | C23C14/04 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 李洋,舒艳君 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 成膜掩膜 | ||
1.一种成膜掩膜,用于使蒸镀材料覆盖于基板上而以恒定的排列间距排列形成多个薄膜图案,
所述成膜掩膜的特征在于,
具备:
薄板状的磁性金属部件,其设置有以与所述薄膜图案相同的排列间距排列且形状尺寸比该薄膜图案大的贯通孔;和
树脂制的薄膜,其与所述磁性金属部件的一个面紧贴而设置,且在所述贯通孔内在与所述薄膜图案相对应的位置形成有形状尺寸与该薄膜图案相同的开口图案,且可见光可透过该薄膜,
所述开口图案设置于由蒸镀的阴影的区域所包围的区域内,该蒸镀的阴影的区域在所述贯通孔内由所述磁性金属部件的厚度与所述蒸镀材料相对于所述薄膜面的最大入射角度所决定,
所述由蒸镀的阴影的区域所包围的区域的在与所述贯通孔的排列方向相同的方向的宽度W1,至少等于将所述开口图案的在与所述贯通孔的排列方向相同的方向的宽度W2加上所述开口图案的在相同方向的位置偏移允许值α的2倍值2α所得的值(W2+2α)。
2.根据权利要求1所述的成膜掩膜,其特征在于,
所述贯通孔的排列方向的宽度,等于将所述由蒸镀的阴影的区域所包围的区域的在与所述贯通孔的排列方向相同的方向的宽度W1加上所述蒸镀的阴影的区域的在与所述贯通孔的排列方向相同的方向的宽度t×tanθ的2倍值2×t×tanθ所得的值(W1+2×t×tanθ),其中,t:上述磁性金属部件的厚度,θ:蒸镀材料相对于掩模面的最大入射角。
3.根据权利要求1或2所述的成膜掩膜,其特征在于,
所述磁性金属部件是镍、镍合金、殷钢或者殷钢合金。
4.根据权利要求1或2所述的成膜掩膜,其特征在于,
所述薄膜是聚酰亚胺。
5.根据权利要求1或2所述的成膜掩膜,其特征在于,
将设置有内含所述贯通孔的大小的开口的框状的框架的一端面、与所述磁性金属部件的一个面的周边区域接合而进行设置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社V技术,未经株式会社V技术许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380057122.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类