[发明专利]用于高深宽比半导体器件结构的具有污染物去除的无黏附干燥工艺

权利要求书

1.一种清洁基板的方法，所述方法包含以下步骤：

使基板暴露于溶剂，以去除位于所述基板的表面上的一数量的残余清洁溶液，其中所述基板上形成有高深宽比的特征；

在使基板暴露于所述溶剂之后，使所述基板暴露于超临界流体，以去除位于所述基板的所述表面上的溶剂；以及

在使基板暴露于所述超临界流体之后，使所述基板暴露于等离子体。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述残余清洁溶液包含去离子水。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述溶剂包含非极性溶剂。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述溶剂选自于由丙酮、异丙醇、乙醇及甲醇所组成的群组。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述溶剂包含极性溶剂。

6.如权利要求1所述的方法，其中使所述基板暴露于所述超临界流体的步骤进一步包含以下步骤：

使气体转变到超临界态，以形成所述超临界流体；

使所述超临界流体流过所述基板的表面；以及

使所述超临界流体转变到气态。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述气体包含CO₂。

8.如权利要求6所述的方法，其中使所述超临界流体流过所述基板的所述表面的步骤包含以下步骤：以一流率输送超临界CO₂，所述流率能够从所述基板的所述表面去除颗粒和残余物。

9.如权利要求6所述的方法，其中所述气体包含C₃H₈。

10.如权利要求6所述的方法，其中使所述超临界流体转变到所述气态的步骤进一步包含以下步骤：等温减压包含超临界CO₂的所述超临界流体。

11.如权利要求1所述的方法，其中使所述基板暴露于等离子体的步骤包含以下步骤：使所述基板暴露于包含氧的等离子体。

12.如权利要求1所述的方法，其中所述清洁基板的方法进一步包含以下步骤：

在湿式清洁腔室中使所述基板的所述表面暴露于所述残余清洁溶液，及其中：

所述使基板暴露于溶剂的步骤包含以下步骤：在溶剂交换腔室中使所述基板的所述表面暴露于两种或多种溶剂，

所述使所述基板暴露于超临界流体的步骤包含以下步骤：在超临界流体腔室中使所述基板的所述表面暴露于所述超临界流体并去除位于所述基板的所述表面上的溶剂，

所述使所述基板暴露于等离子体的步骤包含以下步骤：在等离子体腔室中使所述基板的所述表面暴露于所述等离子体；以及

在所述湿式清洁腔室、溶剂交换腔室、超临界流体腔室及等离子体腔室之间通过传送腔室依序传送所述基板。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述湿式清洁腔室、溶剂交换腔室、超临界流体腔室及等离子体腔室耦接至所述传送腔室。