[发明专利]臭氧气体溶解水的制造方法及电子材料的洗净方法有效
| 申请号： | 201380057522.9 | 申请日： | 2013-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN104995722B | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 床嶋裕人;森田博志 | 申请（专利权）人： | 栗田工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B08B3/08 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张永康;李英艳 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 臭氧 气体 溶解 制造 方法 电子 材料 洗净 | ||
1.一种臭氧气体溶解水的制造方法，其是对臭氧溶解部供给臭氧气体及氧气的混合气体和脱气处理水使该混合气体溶解于该脱气处理水中而制造出臭氧气体溶解水的方法，其特征在于，
对供给至该臭氧溶解部的该混合气体量进行控制，以使根据在假设该混合气体中的臭氧全部分解为氧时的该混合气体中的氧气量和该脱气处理水量算出的溶存氧气浓度的增加量、和该脱气处理水的溶存氧气浓度的合计，成为所获得的臭氧气体溶解水的使用条件下的氧气的饱和溶解度以下，
并且上述混合气体是通过使从氧气产生臭氧气体的臭氧产生器所获得的混合气体，通过调整该臭氧产生器的入口氧气量，控制供给至上述臭氧溶解部的混合气体量。
2.如权利要求1所述的臭氧气体溶解水的制造方法，其中，
上述混合气体的臭氧气体浓度为3体积％以上。
3.如权利要求1所述的臭氧气体溶解水的制造方法，其中，
将以使上述臭氧气体溶解水的pH成为中性以下而抑制该臭氧气体溶解水中的溶存臭氧气体的自分解的气体，在上述臭氧溶解部的前段、后段及该臭氧溶解部的任一阶段溶解于上述脱气处理水或臭氧气体溶解水中。
4.如权利要求1所述的臭氧气体溶解水的制造方法，其中，
上述臭氧气体溶解水的溶存臭氧气体浓度是1～15ppm。
5.一种电子材料的洗净方法，其特征在于，
其使用权利要求1至4中任一项所述的臭氧气体溶解水的制造方法所制造出的臭氧气体溶解水，对电子材料进行洗净。
6.如权利要求5所述的电子材料的洗净方法，其中，
其使用上述臭氧气体溶解水进行超音波洗净。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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