[发明专利]形成本地化的绝缘体上硅鳍式场效应晶体管的方法和结构

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

半导体衬底；

布置在所述半导体衬底上的第一鳍；

在所述第一鳍的基部形成的氧化区域；以及

被形成为与所述第一鳍在其基部相邻并且物理接触的浅沟槽隔离区域，其中所述浅沟槽隔离区域在所述第一鳍的顶部的水平之下，所述第一鳍包括位于第一鳍的基部的具有V-形轮廓的氧化区域。

2.如权利要求1所述的结构，进一步包括布置在所述第一鳍之上的栅极电介质层。

3.如权利要求2所述的结构，进一步包括布置在所述栅极电介质层之上的栅极区域。

4.如权利要求3所述的结构，其中所述栅极电介质层由二氧化铪构成。

5.如权利要求3所述的结构，其中所述栅极区域由多晶硅构成。

6.如权利要求3所述的结构，其中所述栅极区域由金属构成。

7.如权利要求1所述的结构，其中所述浅沟槽隔离区域由二氧化硅构成。

8.如权利要求1所述的结构，其中所述浅沟槽隔离区域的高度范围是大于等于0.2倍第一鳍高度且小于第一鳍高度。

9.如权利要求1所述的结构，进一步包括第二鳍，其中所述第二鳍的物理高度与所述第一鳍的物理高度相同，并且其中第二鳍的电高度低于所述第一鳍的电高度。

10.如权利要求9所述的结构，其中所述第一鳍和所述第二鳍在各个鳍的顶部共面。

11.如权利要求2所述的结构，其中所述栅极电介质层的厚度范围为5埃到20埃。

12.如权利要求9所述的结构，其中所述第一鳍的电子鳍高度的范围为70纳米到150纳米，并且其中所述第二鳍的电子鳍高度的范围为40纳米到120纳米。

13.一种半导体结构，包括：

半导体衬底；

第一鳍，布置在所述半导体衬底上，所述第一鳍具有顶部和基部；

第二鳍，布置在所述半导体衬底上，所述第二鳍具有顶部和基部；

其中所述第一鳍的顶部和所述第二鳍的顶部水平共面；

其中所述半导体衬底的一部分包括氧化区域，并且其中所述氧化区域延伸到每个鳍的基部；并且

其中所述氧化区域与所述第一鳍的顶部之间的距离小于所述氧化区域与所述第二鳍的顶部之间的距离。

14.如权利要求13所述的结构，进一步包括栅极电介质层，其布置在所述第一鳍之上。

15.如权利要求14所述的结构，进一步包括栅极区域，其布置在所述栅极电介质层之上。

16.如权利要求15所述的结构，其中所述栅极电介质层由二氧化铪构成。

17.如权利要求15所述的结构，其中所述栅极区域由多晶硅构成。

18.如权利要求15所述的结构，其中所述栅极区域由金属构成。

19.如权利要求13所述的结构，其中所述氧化区域延伸到每个鳍的基部，并且具有V-形轮廓。

20.一种形成半导体结构的方法，包括：

在块型半导体衬底上形成鳍；

在所述鳍上沉积鳍侧壁间隔物；

沉积浅沟槽隔离区域，其与所述鳍侧壁间隔物和所述块型半导体衬底直接物理接触；

进行氧化工艺，以氧化所述鳍的基部和所述块型半导体衬底的一部分；以及

进行所述浅沟槽隔离区域的凹进。

21.如权利要求20所述的方法，进一步包括移除所述鳍侧壁间隔物区域。

22.如权利要求20所述的方法，进一步包括在沉积所述鳍侧壁间隔物区域之后，并且在沉积所述浅沟槽隔离区域之前，进行衬底凹进。

23.如权利要求20所述的方法，其中进行浅沟槽隔离区域凹进包括完全去除所述浅沟槽隔离区域。

24.如权利要求20所述的方法，其中进行氧化工艺包括在900摄氏度到1300摄氏度的温度进行热氧化。