[发明专利]用于形成包含砷掺杂剂的基底的溶液配方和方法有效
申请号: | 201380057792.X | 申请日: | 2013-11-05 |
公开(公告)号: | CN104781909B | 公开(公告)日: | 2019-02-05 |
发明(设计)人: | S.E.霍赫斯特勒;K.D.波拉;L.S.穆迪;P.B.麦肯兹;刘俊佳 | 申请(专利权)人: | 慧盛材料美国有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/04 | 分类号: | H01L21/04;C07F9/80;C07F9/78;C07F9/68 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 马蔚钧;李炳爱 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 形成 包含 掺杂 基底 溶液 配方 方法 | ||
1.一种用于形成包含砷掺杂剂的基底的方法,其包括:
制备包含掺杂剂和溶剂的溶液,所述掺杂剂包含含砷化合物;和
使基底与所述溶液接触,其中所述溶液的闪点等于或高于能够在不多于2.5小时的持续时间内致使所述基底的至少一部分原子与所述溶液的含砷化合物之间形成连接的最低温度,所述溶液的闪点在50℃至115℃的范围内,
其中所述含砷化合物包括有机砷化合物,并且使基底与所述溶液接触包括使所述有机砷化合物共价键合到位于所述基底表面的多个硅原子中的至少一部分上。
2.权利要求1的方法,进一步包括处理所述基底的表面以产生经改性的基底表面。
3.权利要求2的方法,其中所述经改性的基底表面包括位于所述表面的多个硅原子中的至少一部分键合到氢原子上。
4.权利要求2的方法,其中所述经改性的基底表面包括位于所述表面的多个硅原子中的至少一部分键合到相应的链接基团上。
5.权利要求4的方法,其中所述含砷化合物包括有机砷化合物,并且使基底与所述溶液接触包括使所述有机砷化合物共价键合到至少一部分相应的链接基团上。
6.权利要求1的方法,进一步包括将所述掺杂剂添加到所述基底中。
7.权利要求6的方法,其中将所述掺杂剂添加到所述基底中包括对所述基底进行退火。
8.权利要求1的方法,其中所述基底包含硅、锗或它们的组合。
9.一种用于形成包含砷掺杂剂的基底的溶液,其包含:
溶剂;和
含砷化合物;
其中所述溶液的闪点至少等于能够在不多于2.5小时的持续时间内引发所述溶液与硅之间的反应的最低温度,所述溶液的闪点在50℃至115℃的范围内。
10.权利要求9的溶液,其中所述溶剂包括4-羟基丁酸、乙二醇醚、4-甲酰基吗啉、苯基乙酸、C9醇、C10醇、3-壬酮、苯丙基醚、二甲亚砜(DMSO)、环辛酮、糠基丙酮、异佛尔酮、二己基醚、2-壬酮、苯基丙基醚、己基苯、均三甲苯、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、链烷醇胺、乙腈、甲苯、二氧杂环己烷、四氢呋喃(THF)或它们的各种组合。
11.权利要求10的溶液,其中所述乙二醇醚为二乙二醇二丁基醚或四乙二醇二甲基醚(四乙二醇二甲醚)。
12.权利要求9的溶液,其中所述溶液包含在溶液总重量的2重量%至11重量%范围内的所述含砷化合物。
13.一种包含砷掺杂剂的基底,其包含:
具有多个硅原子的表面;和
共价键合到所述多个硅原子中的至少一部分上的含砷化合物。
14.权利要求13的基底,其中所述基底包括一种或多种共价键合到所述多个硅原子中的至少一部分上的含砷化合物的多个层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造