[发明专利]嵌入有电容接触式传感器的薄膜液晶显示器有效
| 申请号： | 201380057824.6 | 申请日： | 2013-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN104769491B | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | 咸龙主;许智镐;金基中 | 申请（专利权）人： | 硅显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1368 | 分类号： | G02F1/1368;G02F1/133;G02F1/1343;G06F3/044 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司11327 | 代理人： | 许向彤,李琳 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 嵌入 电容 接触 传感器 薄膜 液晶显示器 | ||
1.一种嵌入有电容接触式传感器的薄膜晶体管液晶显示器TFT LCD，所述TFT LCD包括：
接触式传感器源极跟随器TFT，形成在基板上；
第一电极，连接到所述接触式传感器源极跟随器TFT的栅电极；
接触式传感器复位TFT，其包括所述第一电极；
绝缘膜，形成在所述第一电极上；
第二电极，形成在所述绝缘膜上；以及
显示开关TFT，其包括所述第二电极，
其中，所述第二电极连接到所述显示开关TFT的漏电极；所述接触式传感器复位TFT和所述接触式传感器源极跟随器TFT的栅电极共用所述第一电极；并且所述第一电极连接到所述接触式传感器源极跟随器TFT的栅电极。
2.如权利要求1所述的TFT LCD，进一步包括显示复位TFT，所述显示复位TFT被配置为将漏电极连接到所述第一电极。
3.如权利要求1所述的TFT LCD，进一步包括接触式传感器开关TFT，所述接触式传感器开关TFT共用所述接触式传感器源极跟随器TFT和漏电极。
4.如权利要求1所述的TFT LCD，其中，所述第二电极为像素电极。
5.如权利要求1所述的TFT LCD，其中，所述显示开关TFT包括用低温多晶硅半导体、氧化物半导体或非晶硅半导体制成的有源层。
6.如权利要求1所述的TFT LCD，进一步包括：传感器扫描线驱动电路部、显示扫描线驱动电路部、数据驱动电路部，以及传感器信号前置放大电路部。
7.如权利要求1所述的TFT LCD，还包括显示扫描线，并且所述显示扫描线设置为上下对称的结构。
8.如权利要求3所述的TFT LCD，包括耦合电容，所述耦合电容包括作为下电极的所述接触式传感器开关TFT的栅电极，以及作为上电极的连接到源极跟随器栅电极的感测电极。
9.一种嵌入有电容接触式传感器的薄膜晶体管液晶显示器TFT LCD，所述TFT LCD包括：
接触式传感器源极跟随器TFT，形成在基板上；
第一电极，连接到所述接触式传感器源极跟随器TFT的栅电极；
接触式传感器复位TFT，其包括所述第一电极；
显示开关TFT，包括第二电极，所述第二电极形成在与形成所述第一电极的平面相同的平面上，
其中，所述第一电极连接到所述显示开关TFT的漏电极；所述接触式传感器复位TFT和所述接触式传感器源极跟随器TFT的栅电极共用所述第一电极；并且所述第一电极连接到所述接触式传感器源极跟随器TFT的栅电极。
10.如权利要求9所述的TFT LCD，进一步包括显示复位TFT，所述显示复位TFT被配置为将漏电极连接到所述第一电极。
11.如权利要求9所述的TFT LCD，进一步包括接触式传感器开关TFT，所述接触式传感器开关TFT形成为共用所述接触式传感器源极跟随器TFT和漏电极。
12.如权利要求9所述的TFT LCD，其中，所述第二电极为像素电极。
13.如权利要求9所述的TFT LCD，其中，所述显示开关TFT包括用低温多晶硅半导体、氧化物半导体或非晶硅半导体制成的有源层。
14.如权利要求9所述的TFT LCD，进一步包括：传感器扫描线驱动电路部、显示扫描线驱动电路部、数据驱动电路部，以及传感器信号前置放大电路部。
15.如权利要求9所述的TFT LCD，还包括显示扫描线，并且所述显示扫描线设置为上下对称的结构。
16.如权利要求11所述的TFT LCD，包括耦合电容，所述耦合电容包括作为下电极的所述接触式传感器开关TFT的栅电极，以及作为上电极的连接到源极跟随器栅电极的感测电极。
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