[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

半导体基板(12)，具有第1面(12a)、以及在厚度方向上位于与所述第1面(12a)相反的第2面(12b)，并具备在与所述厚度方向正交的第1方向上并列设置的多个栅极电极(26)，相邻的所述栅极电极(26)规定多个单元(42)，所述多个单元(42)包含多个晶体管单元(44)；

多个栅极布线(38)，形成于所述半导体基板(12)的所述第1面(12a)上，且与所述多个栅极电极(26)电连接；

多个栅极焊盘(36)，形成于所述半导体基板(12)的所述第1面(12a)上，且经由所述多个栅极布线(38)与所述多个栅极电极(26)电连接；

第1焊盘(32)，形成于所述半导体基板(12)的所述第1面(12a)上，通用于所述多个晶体管单元(44)；以及

第2焊盘(40)，形成于所述半导体基板(12)的所述第1面(12a)或所述第2面(12b)上，通用于所述多个晶体管单元(44)，

相互电区分的所述多个栅极布线(38)分别连接于所述多个栅极焊盘(36)，

所述多个栅极电极(26)由所述多个栅极布线(38)电区分成多个种类，

所述多个晶体管单元(44)由被规定的所述栅极电极(26)的组合被区分成多个种类。

2.如权利要求1所述的半导体装置，

区分成多个种类的所述多个晶体管单元(44)在所述第1方向上周期性地被配置。

3.如权利要求2所述的半导体装置，

所述多个栅极焊盘(36)包含第1栅极焊盘(36a)与第2栅极焊盘(36b)，

所述多个栅极电极(26)包含与所述第1栅极焊盘(36a)电连接的第1栅极电极(26a)、以及与所述第2栅极焊盘(36b)电连接的第2栅极电极(26b)，

所述多个晶体管单元(44)包含由一对所述第1栅极电极(26a)规定的第1晶体管单元(44a)以及由一对所述第2栅极电极(26b)规定的第2晶体管单元(44b)，

所述多个单元(42)包含由相邻的所述第1栅极电极(26a)与所述第2栅极电极(26b)规定且不作为晶体管发挥功能的分离单元(46)。

4.如权利要求3所述的半导体装置，

所述分离单元(46)为与所述第1焊盘(32)以及所述第2焊盘(40)电连接的二极管单元(46a)。

5.如权利要求3所述的半导体装置，

所述分离单元(46)为不与所述第1焊盘(32)电连接的浮动状态的单元(46b)。

6.如权利要求2所述的半导体装置，

所述多个栅极焊盘(36)包含第1栅极焊盘(36a)、第2栅极焊盘(36b)以及第3栅极焊盘(36c)，

所述多个栅极电极(26)包含与所述第1栅极焊盘(36a)电连接的第1栅极电极(26a)、与所述第2栅极焊盘(36b)电连接的第2栅极电极(26b)以及与所述第3栅极焊盘(36c)电连接的第3栅极电极(26c)，

在所述第1方向上，所述第2栅极电极(26b)被配置在所述第1栅极电极(26a)的旁边，并且所述第2栅极电极(26b)被配置在所述第3栅极电极(26c)的旁边，

所述多个晶体管单元(44)包含由相邻的所述第1栅极电极(26a)与所述第2栅极电极(26b)规定的第3晶体管单元(44c)、以及由相邻的所述第2栅极电极(26b)与所述第3栅极电极(26c)规定的第4晶体管单元(44d)。

7.如权利要求2所述的半导体装置，

所述多个栅极焊盘(36)包含第1栅极焊盘(36a)、第2栅极焊盘(36b)以及第3栅极焊盘(36c)，

所述多个栅极电极(26)包含与所述第1栅极焊盘(36a)电连接的第1栅极电极(26a)、与所述第2栅极焊盘(36b)电连接的第2栅极电极(26b)以及与所述第3栅极焊盘(36c)电连接的第3栅极电极(26c)，

所述多个晶体管单元(44)包含由相邻的所述第1栅极电极(26a)与所述第2栅极电极(26b)规定的第3晶体管单元(44c)、由相邻的所述第2栅极电极(26b)与所述第3栅极电极(26c)规定的第4晶体管单元(44d)以及由相邻的所述第3栅极电极(26c)与所述第1栅极电极(26a)规定的第5晶体管单元(44e)。