[发明专利]半导体装置以及其驱动方法

权利要求书

1. 一种半导体装置，包括：

易失性存储器；

第一晶体管；

第二晶体管；以及

第三晶体管，

其中，所述第一晶体管的第一端子电连接于所述易失性存储器，

所述第一晶体管的第二端子电连接于所述第二晶体管的栅极，

所述第二晶体管的第一端子电连接于所述第三晶体管的第一端子，

并且，所述第三晶体管的第二端子电连接于所述易失性存储器。

2. 根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述第一晶体管包括包含氧化物半导体的沟道形成区。

3. 根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述易失性存储器包括第一反相器及第二反相器，

所述第一反相器的输入端子及所述第二反相器的输出端子电连接于第一节点，

所述第一反相器的输出端子及所述第二反相器的输入端子电连接于第二节点，

所述第一晶体管的所述第一端子电连接于所述第一节点，

并且,所述第三晶体管的所述第二端子电连接于所述第二节点。

4. 根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述易失性存储器包括第一反相器及第二反相器，

所述半导体装置包括第三反相器，

所述第一反相器的输入端子及所述第二反相器的输出端子电连接于第一节点，

所述第一反相器的输出端子及所述第二反相器的输入端子电连接于第二节点，

所述第一晶体管的所述第一端子通过所述第三反相器电连接于所述第一节点，

并且，所述第三晶体管的所述第二端子电连接于所述第一节点。

5. 根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述半导体装置包括第一电容元件，

并且，所述第一电容元件的第一端子电连接于所述第二晶体管的所述栅极。

6. 一种半导体装置，包括：

易失性存储器；

第一晶体管；

第二晶体管；

第三晶体管；

第四晶体管；

第五晶体管；以及

第六晶体管，

其中，所述第一晶体管的第一端子电连接于所述易失性存储器，

所述第一晶体管的第二端子电连接于所述第二晶体管的栅极，

所述第二晶体管的第一端子电连接于所述第三晶体管的第一端子，

所述第三晶体管的第二端子电连接于所述易失性存储器，

所述第四晶体管的第一端子电连接于所述易失性存储器，

所述第四晶体管的第二端子电连接于所述第五晶体管的栅极，

所述第五晶体管的第一端子电连接于所述第六晶体管的第一端子，

并且，所述第六晶体管的第二端子电连接于所述易失性存储器。

7. 根据权利要求6所述的半导体装置，

其中所述第一晶体管包括包含氧化物半导体的沟道形成区，

并且，所述第四晶体管包括包含氧化物半导体的沟道形成区。

8. 根据权利要求6所述的半导体装置，

其中所述易失性存储器包括第一反相器及第二反相器，

所述第一反相器的输入端子及所述第二反相器的输出端子电连接于第一节点，

所述第一反相器的输出端子及所述第二反相器的输入端子电连接于第二节点，

所述第一晶体管的所述第一端子电连接于所述第一节点，

所述第三晶体管的所述第二端子电连接于所述第二节点，

所述第四晶体管的所述第一端子电连接于所述第二节点，

并且，所述第六晶体管的所述第二端子电连接于所述第一节点。

9. 根据权利要求6所述的半导体装置，

其中所述易失性存储器包括第一反相器及第二反相器，

所述半导体装置包括第三反相器及第四反相器，

所述第一反相器的输入端子及所述第二反相器的输出端子电连接于第一节点，

所述第一反相器的输出端子及所述第二反相器的输入端子电连接于第二节点，

所述第一晶体管的所述第一端子通过所述第三反相器电连接于所述第一节点，

所述第三晶体管的所述第二端子电连接于所述第一节点，

所述第四晶体管的所述第一端子通过所述第四反相器电连接于所述第二节点，

并且，所述第六晶体管的所述第二端子电连接于所述第二节点。