[发明专利]含有稠环的单体、低聚和聚合半导体以及它们的器件

权利要求书

1.包含稠环部分(I)的单体、低聚物或聚合物：

X独立地为氧(O)、硫(S)或NR(R独立地为氢或具有1-60个碳原子的任选取代的烃基，例如烷基、取代的烷基、烯基、取代的烯基、炔基、取代的炔基、芳基和取代的芳基或任何其它合适的基团)；

表示与另一部分(或多个部分)的连接；

M是共轭部分。

2.根据权利要求1的单体、低聚物或聚合物，其中M选自以下结构的基团：

其中:

---表示M与相邻的五元环的稠合和所述稠合可以是任何合适的方向；当可适用时，各个结构可以被一种或多种合适的基团取代，所述基团独立地选自具有约1至约60个碳原子的任选取代的烃基(例如烷基、取代的烷基、烯基、取代的烯基、炔基、取代的炔基、芳基、取代的芳基、烷氧基和取代的烷氧基)、氰基(CN)、硝基和卤素，或任何其它合适的基团。

3.根据权利要求1的单体、低聚物或聚合物，其中(I)选自以下结构：

其中R独立地为氢或具有1-60个碳原子的任选取代的烃基，例如烷基、取代的烷基、烯基、取代的烯基、炔基、取代的炔基、芳基和取代的芳基或任何其它合适的基团；

R’独立地为氢或具有1-60个碳原子的任选取代的烃基，例如烷基、取代的烷基、烯基、取代的烯基、炔基、取代的炔基、芳基和取代的芳基，或任何其它合适的基团；

当可适用时，各个结构可以进一步被一种或多种合适的基团取代，所述基团独立地选自具有1-60个碳原子的任选取代的烃基(例如烷基、取代的烷基、烯基、取代的烯基、炔基、取代的炔基、芳基、取代的芳基、烷氧基和取代的烷氧基)、氰基(CN)、硝基和卤素，或任何其它合适的基团。

4.根据权利要求1-3的任一项或多项的单体、低聚物或聚合物，具有以下结构PI和PII：

其中

X、M和R如上所定义；

a是1-20的整数；

b或c是0(零)至20的整数；

单元Ar和单元M₁-(I)-M₂可以无规或交替的方式连接，即(PI)或(PII)可以是无规共聚物、交替共聚物或嵌段共聚物；

n是1-1000000的数；

表示连接可以是顺式或反式结构；

末端“*”可以是氢或任何其它合适的基团或部分；

Ar独立地为π-共轭的部分。

5.根据权利要求4的单体、低聚物或聚合物，其中Ar独立地选自以下结构或以下结构的组合：

其中R独立地为氢或具有1-60个碳原子的烷基、取代的烷基、烯基、取代的烯基、炔基、取代的炔基、芳基或取代的芳基的任选地烃基；

当可适用时，各个结构可以被一种或多种合适的基团取代，所述基团独立地选自具有1-60个碳原子的任选取代的烃基(例如烷基、取代的烷基、烯基、取代的烯基、炔基、取代的炔基、芳基、取代的芳基、烷氧基和取代的烷氧基)、氰基(CN)、硝基和卤素，或任何其它合适的基团。

6.根据权利要求4和5的单体、低聚物或聚合物，其中Ar任选地被一种或多种合适的基团取代，所述基团独立地选自具有1-60个碳原子的任选取代的烃基、硝基和卤素。