[发明专利]用于形成柔性多稳态元件的方法

权利要求书

1.一种用于形成柔性多稳态条带(5)的方法，该方法通过以下一系列操作实现：

-制成单件式硅部件(S)坯料(E)，所述坯料一方面包括用于形成在两个端部(E1,E2)之间的柔性多稳态条带的至少一个柔性梁(P)，另一方面包括至少一个刚性质量块(M；M1；M2)，所述刚性质量块具有比任何所述柔性梁(P)更大的质量，并且在每一点都具有比任何所述柔性梁(P)的横截面更大的横截面，任何所述刚性质量块(M；M1；M2)用于形成比任何所述柔性多稳态条带刚度更大的结构，使得具有初始曲线长度(LI)的至少一个所述柔性梁(P)在第一所述端部(E1)处的第一所述刚性质量块(M1)和第二所述端部(E2)处的第二所述刚性质量块(M2)之间延伸，所述第一和第二端部(E1,E2)由所述柔性梁(S)的具有最小横截面的区域与所述刚性质量块(M；M1；M2)的具有最大横截面的区域之间的交界部形成，并且所述第一和第二端部分开的初始距离(DI)小于或等于所述初始曲线长度(LI)，所述第一刚性质量块(M1)和所述第二刚性质量块(M2)共同形成刚性框架(C)，所述刚性框架也是一刚性质量块(M)；

-在熔炉中，通过保持1100℃的温度数个小时，对所述部件(S)执行已知的二氧化硅SiO₂生长方法；

-调整所述数个小时的持续时间，以便实现在任何所述刚性质量块(M；M1；M2)上的二氧化硅SiO₂截面大于在任何所述柔性梁(P)上的二氧化硅SiO₂截面；

-冷却到大约20℃的环境温度，以便在所述第一刚性质量块(M1)和所述第二刚性质量块(M2)的冷却期间通过屈曲使具有初始曲线长度(LI)的至少一个所述柔性梁(P)变形，所述第一刚性质量块和所述第二刚性质量块在冷却期间的收缩大于所述梁(P)的收缩，从而所述第一和第二端部(E1,E2)之间的最终距离(DF)严格地小于具有初始曲线长度(LI)的所述柔性梁(P)的最终曲线长度(LF)，并且所述最终曲线长度(LF)大于或等于所述初始曲线长度(LI)。

2.根据前一项权利要求所述的方法，其特征在于，调整二氧化硅SiO₂生长阶段的所述持续时间，以便在任何所述柔性条带(P)中的二氧化硅SiO₂的截面与硅的截面之间的比率都高于在任何所述刚性质量块(M；M1；M2)中的所述比率。

3.一种用于形成柔性多稳态条带(5)的方法，该方法通过以下一系列操作实现：

-蚀刻硅部件(S)，在该硅部件中，具有较小横截面的细长的梁(P)形成具有较大横截面的至少一个质量块(MU)的两个端部(E1；E2)之间的连接，所述较大横截面是所述较小横截面的至少十倍以上，所述至少一个质量块(MU)形成刚性框架(C)；

-在熔炉中，通过保持1100℃的温度数个小时，对所述部件(S)执行已知的二氧化硅SiO₂生长方法；

-调整所述数个小时的持续时间，以便在所述梁(P)上获得覆盖有第一外周层(CP1)的第一硅芯部(A1)，以及在所述质量块(MU)上获得覆盖有第二外周层(CP2)的第二硅芯部(A2)，并且，由二氧化硅SiO₂形成的所述梁(P)的所述第一外周层(CP1)的截面与由硅形成的所述梁(P)的所述第一芯部(A1)的截面之间的第一比率(RA)大于1，

-并且，由二氧化硅SiO₂形成的所述质量块(MU)的所述第二外周层(CP2)的截面与由硅形成的所述质量块(MU)的所述第二芯部(A2)的截面之间的第二比率(RB)小于所述第一比率(RA)的百分之一；

-冷却到大约20℃的环境温度，以便在所述至少一个质量块(MU)的冷却期间通过屈曲使所述梁(P)变形，所述质量块在冷却期间的收缩大于所述梁(P)的收缩。