[发明专利]具有改进的内部外耦合的发光器件和提供该器件的方法有效
申请号: | 201380058571.4 | 申请日: | 2013-10-25 |
公开(公告)号: | CN104823296A | 公开(公告)日: | 2015-08-05 |
发明(设计)人: | G.F.加伊特纳;G.H.里伊特詹斯;J.M.E.巴肯;J.特蛤特;H-P.洛伊布 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 刘鹏;景军平 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 改进 内部 耦合 发光 器件 提供 方法 | ||
1. 一种发光器件,包括:
a)具有平坦表面(100)的玻璃衬底;
b)沉积在所述平坦表面上的高折射率层(11);以及
c)具有沉积在所述高折射率层(11)上的透明电极层(10)的发光层结构(200);
d)其中在高折射率层(11)的顶表面上提供凸起(14),所述凸起(14)由于所述玻璃衬底的所述平坦表面(100)上的层生长的局部扰动的原因而由所述光学厚层(11)的柱锥状生长造成。
2. 依照权利要求1的器件,其中所述玻璃衬底的所述平坦表面(100)包括超细颗粒(12)。
3. 依照权利要求1的器件,其中所述平坦表面(100)包括所述玻璃衬底的表面化学成分的局部变化。
4. 依照权利要求3的器件,其中所述玻璃衬底的所述表面化学成分包括带有具有不同氧化态的元素的材料,其通过提供局部更高的粘附系数以及因而所述高折射率层(11)的更强劲生长而修改初始生长抑制。
5. 依照权利要求1的器件,其中所述高折射率层(11)包括SiNx、SiOx、SiOxNy、AlOx或Al2O3:N。
6. 依照权利要求1的器件,其中所述透明电极层(10)包括氧化铟锡或者掺杂锡的氧化铟。
7. 依照权利要求1的器件,其中所述凸起(14)具有0.5-4μm范围内的截面尺度。
8. 依照权利要求1的装置,其中所述玻璃衬底包括浮法玻璃。
9. 一种制造发光器件的方法,所述方法包括:
a)对玻璃衬底预处理以便引起所述玻璃衬底平坦表面(100)上的层生长的局部扰动;
b)在所述平坦表面(100)上沉积高折射率层(11),使得由于所述局部扰动而引起的所述光学厚层(11)的柱锥状生长在所述沉积的层(11)的顶表面上生成凸起(14);以及
c)在所述高折射率层(11)的所述顶表面上沉积发光层结构(200)的透明电极层(10)。
10. 依照权利要求9的方法,进一步包括在所述平坦表面(100)上沉积超细颗粒(12)。
11. 依照权利要求10的方法,进一步包括将所述平坦表面(100)暴露于饱和蚀刻流体,并且移除所述蚀刻流体以便沉积所述超细颗粒(12)。
12. 依照权利要求11的方法,进一步包括通过蚀刻牺牲衬底而使蚀刻流体饱和。
13. 依照权利要求11的方法,进一步包括通过将种子颗粒引入到蚀刻溶液中而使蚀刻流体饱和。
14. 依照权利要求9的方法,进一步包括通过添加具有不同氧化态的材料并且因而通过局部更强劲的生长修改初始生长抑制而提供所述玻璃衬底的表面化学成分的局部变化。
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