[发明专利]用于CIGS光伏器件的钼基材

权利要求书

1.一种结构体，所述结构体包括：

载体；

第一低密度钼层；以及

光吸收材料的层，所述光吸收材料的层安置在所述低密度钼上并且紧邻所述低密度钼。

2.根据权利要求1所述的结构体，其中所述第一低密度钼层具有大于约2.0×10^-4Ω-cm的电阻率。

3.根据权利要求1所述的结构体，其中所述第一低密度钼层具有大于约3.0×10^-4Ω-cm的电阻率。

4.根据权利要求1所述的结构体，其中所述第一低密度钼层具有大于约4.0×10^-4Ω-cm的电阻率。

5.根据权利要求1所述的结构体，其中所述第一低密度钼层具有大于约5.0×10^-4Ω-cm的电阻率。

6.根据权利要求1所述的结构体，其中所述第一低密度钼层具有大于约500nm的厚度。

7.根据权利要求1所述的结构体，其中所述第一低密度钼层具有大于约800nm的厚度。

8.根据权利要求1所述的结构体，所述结构体还包括高密度钼层。

9.根据权利要求8所述的结构体，其中所述高密度钼层设置在所述低密度钼层和所述载体之间。

10.根据权利要求8所述的结构体，其中所述高密度钼层具有小于0.5×10^-4Ω-cm的电阻率。

11.根据权利要求8所述的结构体，其中所述高密度钼层具有小于0.2×10^-4Ω-cm的电阻率。

12.根据权利要求8所述的结构体，其中所述高密度钼层和所述低密度钼层组合为具有小于约0.5×10^-4Ω-cm的电阻率的组合钼层。

13.根据权利要求8所述的结构体，所述结构体还包括紧邻所述载体安置的第二低密度钼层。

14.根据权利要求8所述的结构体，所述结构体还包括在所述高密度钼层和所述载体之间安置的第二低密度钼层。

15.根据权利要求8所述的结构体，其中所述第一低密度钼层、所述高密度钼层和所述第二低密度钼层组合为具有小于约0.5×10^-4Ω-cm的电阻率的组合钼层。

16.根据权利要求1所述的结构体，其中设置所述低密度钼层以吸收在所述光吸收材料中产生的污染物。

17.根据权利要求16所述的结构体，其中所述污染物是有机污染物。

18.根据权利要求16所述的结构体，其中所述污染物是当加热所述结构体以将所述光吸收层熔化时产生的。

19.根据权利要求1所述的结构体，其中所述低密度钼层含可观的碳。

20.根据权利要求1所述的结构体，其中所述光吸收层包含具有式AB_1-xB’_XC_2-yC’_y的材料，其中A是Cu、Zn、Ag或Cd；B和B’独立地为Al、In或Ga；C和C’独立地为S、Se或Te，0≤x≤1；并且0≤y≤2。

21.一种制造光伏器件的方法，所述方法包括：

在载体上沉积低密度钼层，

在所述低密度钼层上沉积光吸收剂前体层，所述光吸收剂前体层包含纳米粒子和至少一种有机组分，其中所述纳米粒子选自具有式AB、AC、BC、AB_1-xB’_X和AB_1-xB’_XC_2-yC’_y的纳米粒子的组，其中A是Cu、Zn、Ag或Cd；B和B’独立地为Al、In或Ga；C和C’独立地为S、Se或Te，0≤x≤l；并且0≤y≤2。

22.根据权利要求21所述的方法，其中所述低密度钼层具有大于约2.0×10^-4Ω-cm的电阻率。

23.根据权利要求21所述的方法，其中所述低密度钼层具有大于约3.0×10^-4Ω-cm的电阻率。