[发明专利]使用F2进行腔室清洁的方法以及用于为此方法制备F2的工艺

权利要求书

1.一种用于使用F₂清洁腔室的方法，该F₂含有按重量计多于0.01％并且按重量计少于10％的HF。

2.如权利要求1所述的方法，其中该F₂含有按重量计等于或多于1％的HF，以及按重量计等于或少于2％的HF含量。

3.如权利要求1或2所述的方法，其中该腔室是CVD腔室。

4.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中在半导体、微机电系统、TFT(平板显示器)、或太阳能电池的制造过程中使用该腔室用于沉积至少一个层。

5.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其中应用在工艺中所获得的F₂，该工艺包括以下步骤(I)和(II)：

A步骤(I)包括

A)至少一个在KF的存在下从HF电解式生产粗F₂的步骤

B)至少一个除去在步骤A)中获得的该粗F₂中所夹带的颗粒的步骤

C)至少一个将任何剩余颗粒从离开步骤B)的F₂中过滤出的步骤

以及

D)将F₂供应到缓冲罐或储存罐的步骤；

以及

步骤(II)，其中从该缓冲罐或储存罐抽出F₂并且将其输送到腔室中以进行至少一个腔室清洁步骤。

6.如权利要求5所述的方法，其中该F₂在步骤(I)中在包括以下步骤的工艺中获得：

A)在KF的存在下由HF电解式生产粗F₂的步骤

B)除去在步骤A)中获得的该粗F₂中所夹带的颗粒的步骤

C)将任何剩余颗粒从离开步骤B)的F₂中过滤出的步骤

以及

D)将F₂输送到缓冲罐或储存罐的步骤。

7.如权利要求5或6所述的方法，其中步骤C)的颗粒过滤器包括具有的直径为0.01μm至20μm的孔。

8.如权利要求5至7中任一项所述的方法，其中在步骤C)中的颗粒过滤器包括具有的直径小于10nm的孔。

9.如权利要求5至8中任一项所述的方法，其中在腔室清洁的场所进行步骤A)至D)。

10.如权利要求9所述的方法，其中步骤A)在电解槽中进行，步骤B)在静态洗涤器中进行，步骤C)使用金属过滤器进行，步骤D)在缓冲罐或储存罐中进行，并且离开步骤D)的F₂被输送到至少一个腔室中并且在该腔室中、在腔室清洁步骤(II)中所使用，其中该电解槽、该静态洗涤器、该金属过滤器、该缓冲罐或储存罐、该缓冲罐或储存罐、以及该至少一个腔室被可操作的连接。

11.如权利要求11所述的方法，其中在步骤B)至D)以及(II)中的每一步中F₂的压力低于在先前步骤中的F₂的压力。

12.如权利要求5至11中任一项所述的方法，其中在步骤A)中F₂的压力等于或低于1.1巴(绝对值)，优选等于或低于1.05±0.02巴(绝对值)。

13.如权利要求11或12所述的方法，其中在步骤(II)中、在从等于至大于0.2巴(绝对值)的压力至等于或低于0.55巴(绝对值)的压力下将F₂递送到该腔室。

14.一种用于制备F₂的工艺，该F₂含有按重量计多于0.1％并且按重量计等于或低于10％、优选按重量计等于或低于5％、并且特别优选按重量计等于或低于2.5％的HF，该工艺包括以下步骤：

A)至少一个在KF的存在下从HF电解式生产粗F₂的步骤

B)至少一个除去在步骤A)中获得的该粗F₂中所夹带的颗粒的步骤

C)至少一个将任何剩余颗粒从离开步骤B)的F₂中过滤出的步骤

和

D)将该F₂递送到缓冲罐或储存罐的步骤。