[发明专利]荧光体、发光元件及照明装置有效
申请号: | 201380059042.6 | 申请日: | 2013-10-30 |
公开(公告)号: | CN104797684A | 公开(公告)日: | 2015-07-22 |
发明(设计)人: | 江本秀幸 | 申请(专利权)人: | 电气化学工业株式会社 |
主分类号: | C09K11/64 | 分类号: | C09K11/64;C09K11/08;C09K11/80;F21S2/00;F21V3/00;F21V3/04;F21V9/16;H01L33/50;F21Y101/02 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;何可 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 荧光 发光 元件 照明 装置 | ||
1.Eu活化的Li固溶的α-SiAlON的荧光体,其晶格常数a为0.7820nm至0.7835nm,晶格常数c为0.5645nm至0.5670nm,氧含量为0.4质量%至1.2质量%,并且铕(Eu)含量为0.3质量%至1.2质量%,当用峰值波长为450nm至460nm的单色光激发时,所述荧光体发射在荧光谱中峰值波长为580nm至595nm的光。
2.如权利要求1所述的荧光体,其中一部分Li被选自Mg、Ca、Y和镧系元素(然而,不包括La、Ce和Eu)的一种或多种元素置换,同时保持所述荧光体的电中性。
3.如权利要求1或2所述的荧光体,其中整个结晶相中所述α-SiAlON晶体的含量为90质量%以上。
4.发光元件,其包括权利要求1至3中任一项权利要求所述的荧光体以及将激发光照射所述荧光体的光源。
5.如权利要求4所述的发光元件,其中所述光源是峰值发射波长为240nm至480nm的发光二极管或激光二极管。
6.照明器具,其包括权利要求4或5所述的发光元件。
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