[发明专利]跟踪对非易失性存储器的区域的读访问

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2012年12月14日提交的美国临时申请第61/737,668号以及与2013年2月1日提交的美国申请第13/756,946号的优先权。这些申请的每个的内容通过全部引用特别合并于本文中。

技术领域

本公开一般涉及跟踪对非易失性存储器的访问。

背景技术

诸如通用串行总线(USB)闪存设备或者可移除存储卡的非易失性数据存储设备已经考虑到数据和软件应用的增加的便携性。闪存设备可以通过在每个闪存单元中存储多位来提高数据存储密度。例如，多级单元(MLC)闪存设备提高每单元存储3位、每单元存储4位或者更多来提供增加的存储密度。尽管增加每单元的位数量以及降低存储器特征尺寸可以增加存储器设备的存储密度，但是存储在存储器设备处的数据的位错误率也增加。

经常使用错误校正编码(ECC)来校正出现在从存储器设备读取的数据中的错误。在存储之前，可以通过ECC编码器将数据编码以产生可以与数据一起存储为ECC码字的冗余信息(例如，“奇偶校验位”)。随着使用更多的奇偶校验位，ECC的错误校正能力增加，并且存储编码的数据所需的位数量也增加。

在存储器设备中存储的数据中出现的一个错误源是由于存储器设备的读访问。当向闪存设备的字线和位线施加电压以使能够读取在该字线处存储的数据时，由于存储器设备内的单元间耦合，相邻字线的阈值电压被干扰(例如稍微增加)。读干扰影响是累积的，并且如果未被修正，则可能导致存储的数据中的错误数量超过数据存储设备的ECC错误校正能力。

发明内容

由一组计数器跟踪对数据存储设备的非易失性存储器的区域的读访问。当计数器值指示对由计数器跟踪的具体区域的读访问的数量超过阈值量时，开始对在该具体区域中存储的数据的诸如数据刷新操作或者数据移动操作的修正动作。因此，可以在累积的读干扰影响超过数据存储设备的校正能力之前经由刷新或者移动数据来校正对存储器中存储的数据的读干扰影响。将非易失性存储器逻辑分区为用于读访问跟踪的区域可以是可编程的并且可以基于各种因素适应性地确定以在非易失性存储器内容纳对于读干扰影响的变换的敏感度。

附图说明

图1是包括配置为跟踪对存储器的多个区域的读访问以开始修正动作的数据存储设备的系统的具体例示性实施例的框图；

图2是例示可以并入图1的数据存储设备中的组件的具体实施例的框图；

图3是例示图1的存储器的逻辑分区以及计数器到存储器的区域的映射的总图；以及

图4是跟踪对非易失性存储器的区域的读访问的方法的具体例示性实施例的流程图。

具体实施方式

参考图1，系统100的一个具体实施例包括耦合到主机设备130的数据存储设备102。数据存储设备102配置为跟踪对非易失性存储器104的多个区域的读访问并且基于跟踪的读访问开始修正动作。

主机设备130可以配置为提供要在非易失性存储器104处存储的诸如用户数据132的数据或者请求要从存储器104读取的数据。例如，主机设备130可以包括移动电话、音乐或视频播放器、游戏控制台、电子书阅读器、个人数字助理(PDA)、诸如膝上型计算机、笔记本计算机或者平板机的计算机、固态数据存储驱动器、任何其他电子设备或其任意组合。

数据存储设备102包括耦合到控制器120的非易失性存储器104。非易失性存储器104可以是诸如NAND闪存的闪存。例如，数据存储设备102可以是诸如安全数字卡、微卡、迷你SD.TM卡(特拉华州化手段的SD-3C LLC的商标)、多媒体卡.TM(MMC.TM)卡(维吉尼亚阿灵顿的JEDEC固态技术协会的商标)或者紧凑快闪(CF)卡(加利福尼亚米尔皮塔司的SanDisk公司的商标)的存储卡。作为另一例子，数据存储设备102可以配置为耦合到主机设备130作为嵌入式存储器，比如作为例示性例子的eMMC(维吉尼亚阿灵顿的JEDEC固态技术协会的商标)以及eSD。