[发明专利]氟系树脂膜、其制造方法及太阳能电池组件

说明书

本发明公开了一种氟系树脂膜，其是将含有聚偏氟乙烯系树脂为主成分的氟系树脂挤出成型，在设定为85～120℃的范围的冷却温度下冷却而形成的，通过热通量差示扫描量热法、以10℃/分钟的升温速度从室温加热到200℃时得到的第一轮加热的DSC曲线(first run)中，具有处于150～190℃的范围的聚偏氟乙烯系树脂固有的吸热峰(固有峰)、以及处于该固有峰的低温侧的1个以上吸热峰。

技术领域

本发明涉及一种新型氟系树脂膜和其制造方法，及使用该氟系树脂膜而形成的太阳能电池背面保护片，以及具备该太阳能电池背面保护片的太阳能电池组件。

背景技术

氟系树脂膜因其优异的耐候性、耐热性、耐污染性、耐化学药品性、耐溶剂性等特征，被广泛用于要求长期耐久性的领域。特别是以偏氟乙烯系树脂为主成分的膜有效地发挥通过薄膜化获得的成本优势，作为各种表面保护材料，一直以来广泛用于建筑物的内外装用构件等、要求耐化学药品、耐有机溶剂性的容器表面材料、太阳能电池的表背面材料、燃料电池构件等。进而，近年来，随着太阳能电池组件需求大幅增加，开始广泛用作太阳能电池背面保护片(专利文献1～2)。

对针对作为这样的太阳能电池背面保护片的用途的长期耐久性的要求变得越来越严格，要求在苛酷条件下的使用、其长寿命化。因此，本申请人通过将偏氟乙烯系树脂的晶体形态控制为特定的晶体形态，开发出耐热性、特别是抑制了加热时的黄变的偏氟乙烯系树脂膜的制作技术(专利文献3)。即，通过挤出成型形成膜后，在100℃以上的温度进行再加热，由此控制膜中的由利用红外线吸收光谱获得的吸光度求出的II型晶体成分之比率为90～100％，其中以I型晶体结构(β晶)和II型晶体结构(α晶)的总和为100，从而得到黄变度小的氟系树脂膜。但是，随着制品的长寿命化，希望得到进一步改善了长期耐久性的氟系树脂膜。

专利文献1：日本特开2011-129672号公报

专利文献2：日本特开2008-28294号公报

专利文献3：日本特开2006-273980号公报

发明内容

本发明是鉴于上述情况而实施的，目的在于提供与现有膜相比进一步改善了长期耐久性、特别是耐黄变性的氟系树脂膜。

另外，本发明的目的还在于提供一种制造上述氟系树脂膜的方法、使用上述氟系树脂膜的太阳能电池背面保护片、以及具备该太阳能电池背面保护片的太阳能电池组件。

专利文献3中，以使膜中的由利用红外线吸收光谱得到的吸收强度求出的α晶的比率升高的方式进行了控制，但对于通过该方法求得的α晶的比率，已知如果其数值升高至某种程度，则有时没有充分反映晶体结构的差异。于是，本发明人等对树脂的晶体结构的进一步的指标进行了研究，结果发现，由利用红外线吸收光谱获得的吸收强度无法判定显著性差异的晶体结构差异可通过热通量差示扫描量热法进行DSC曲线解析来明确地识别。并且，本发明人为了使用该方法来得到α晶比率比现有产品更高的氟系树脂膜而进行了深入研究，结果还意外地发现，如果将挤出成型中的冷却温度设定为85～120℃的范围，则能够得到进一步改善了长期耐久性、特别是耐黄变性的氟系树脂膜。

即，根据本发明的一个方式，提供一种氟系树脂膜，其特征在于，其是含有聚偏氟乙烯系树脂为主成分的氟系树脂组合物被挤出成型，在设定为85～120℃的范围的冷却温度下被冷却而形成的，并且通过热通量差示扫描量热法、以10℃/分钟的升温速度从室温加热到200℃时得到的第一轮加热的DSC曲线(first run)中，具有处于150～190℃的范围的聚偏氟乙烯系树脂固有的吸热峰(固有峰)、以及处于该固有峰的低温侧的1个以上吸热峰。