[发明专利]多结太阳能电池无效

专利信息
申请号: 201380059909.8 申请日: 2013-11-15
公开(公告)号: CN104813485A 公开(公告)日: 2015-07-29
发明(设计)人: 丹尼尔·德卡克斯;丽贝卡·琼斯-艾伯特斯;维基特·萨博尼斯;费伦·苏阿雷兹 申请(专利权)人: 太阳结公司
主分类号: H01L31/04 分类号: H01L31/04;H01L31/043;H01L31/18
代理公司: 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 代理人: 王达佐;刘铮
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 太阳能电池
【权利要求书】:

1.一种多结太阳能电池,包括:

具有一个或多个子电池的第一组;以及

具有一个或多个子电池的第二组,其中所述一个或多个子电池中每个均与第二基底进行点阵匹配;

其中:

所述具有一个或多个子电池的第二组结合至所述具有一个或多个子电池的第一组;

所述多结太阳能电池包括至少三个子电池;以及

所述至少三个子电池中至少之一包括基础层,所述基础层包括具有周期表上IIIA族、IV族以及VA族中的元素的合金。

2.根据权利要求1所述的多结太阳能电池,其中所述具有一个或多个子电池的第一组中每个子电池均与第一基底进行点阵匹配。

3.根据权利要求2所述的多结太阳能电池,其中所述第一基底包括选自Ge、GaAs以及p型Ge的材料。

4.根据权利要求2所述的多结太阳能电池,其中所述第一基底包括选自Ge、SiGe、GaAs以及InP的材料。

5.根据权利要求2所述的多结太阳能电池,其中,

所述第一基底包括选自Ge和GaAs的材料;以及

所述具有一个或多个子电池的第一组包括生长在所述第一基底上的III-AsNV子电池。

6.根据权利要求5所述的多结太阳能电池,其中至少一个III-AsNV子电池包括GaInAsSb合金。

7.根据权利要求1所述的多结太阳能电池,其中所述具有一个或多个子电池的第一组包括覆盖Si基底的外延Ge基底。

8.根据权利要求1所述的多结太阳能电池,其中,

所述第二基底包括减薄的基底;以及

所述减薄的基底与所述具有一个或多个子电池的第一组相结合。

9.根据权利要求1所述的多结太阳能电池,其中,

所述第二基底被从所述具有一个或多个子电池的第二组移除;以及

所述具有一个或多个子电池的第二组与所述具有一个或多个子电池的第一组相结合。

10.根据权利要求1所述的多结太阳能电池,其中,

所述具有一个或多个子电池的第一组在第一条件下退火;

所述具有一个或多个子电池的第二组在第二条件下退火;以及

所述第一条件不同于所述第二条件。

11.根据权利要求1所述的多结太阳能电池,其中在将所述具有一个或多个子电池的第二组退火之前,所述第二基底被减薄。

12.根据权利要求1所述的多结太阳能电池,其中在将所述具有一个或多个子电池的第二组退火之前,所述第二基底被移除。

13.根据权利要求1所述的多结太阳能电池,其中所述具有一个或多个子电池的第一组还包括覆盖最上侧子电池的扩散结层。

14.根据权利要求1所述的多结太阳能电池,其中所述具有一个或多个子电池的第二组还包括位于最下侧子电池下面的含As的层。

15.根据权利要求1所述的多结太阳能电池,其中,

所述具有一个或多个子电池的第一组包括p型Ge基底;

所述具有一个或多个子电池的第二组包括减薄的基底;以及

所述减薄的基底与所述Ge基底相结合。

16.根据权利要求1所述的多结太阳能电池,其中,

所述具有一个或多个子电池的第一组包括p型Ge基底;

所述具有一个或多个子电池的第二组包括位于最下侧子电池下面的含As的层;以及

所述含As的层与所述Ge基底相结合。

17.根据权利要求1所述的多结太阳能电池,其中,

所述具有一个或多个子电池的第一组包括p型Ge基底;

所述具有一个或多个子电池的第二组包括位于最下侧子电池下面的选自InGaP、InP、和GaP的含磷层;以及

所述含磷层与p型Ge基底相结合。

18.根据权利要求1所述的多结太阳能电池,其中所述第二基底包括选自Ge和GaAs的材料。

19.根据权利要求1所述的多结太阳能电池,其中所述具有一个或多个子电池的第二组生长在覆盖所述第二基底的释放层上。

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