[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201380060012.7 | 申请日： | 2013-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN104798194A | 公开（公告）日： | 2015-07-22 |
| 发明（设计）人： | 盐田裕基;山竹厚;菅健一;山口义弘;上田哲也 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L23/36 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金光华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件，具备：半导体元件；引线框，所述半导体元件与所述引线框的一个面接合；第1绝缘层，配置于所述引线框的另一个面；以及金属基体板，隔着所述第1绝缘层而与所述引线框连接，其特征在于，
所述第1绝缘层的外周部比所述金属基体板的外周部靠内部，
包括所述引线框的外周部的电场集中部位在内的所述第1绝缘层的外周部被具有比所述第1绝缘层更高耐湿性和更高绝缘性的第2绝缘层覆盖。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
所述引线框的外周部被所述第2绝缘层覆盖至比所述引线框的角R部被截断的位置更高的位置。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
在所述第2绝缘层中，在二氧化硅粒子的周围填充有环氧树脂。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的半导体器件，其特征在于，
所述第2绝缘层的二氧化硅粒子相互隔开间隔而分散地配置于树脂中。
5.根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体器件，其特征在于，
所述半导体元件由宽带隙半导体材料形成。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，
所述宽带隙半导体材料是碳化硅、氮化镓系材料、以及金刚石中的某一个。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社，未经三菱电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380060012.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
