[发明专利]填充间隙用溶胀胶带有效

专利信息
申请号: 201380060159.6 申请日: 2013-11-18
公开(公告)号: CN104798223B 公开(公告)日: 2017-02-22
发明(设计)人: 黄智英;郑昞圭;黄闰泰;梁世雨;张锡基;金成钟;朴敏洙;具滋训 申请(专利权)人: LG化学株式会社
主分类号: H01M2/14 分类号: H01M2/14
代理公司: 北京鸿元知识产权代理有限公司11327 代理人: 李静,黄丽娟
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 填充 间隙 用溶胀 胶带
【说明书】:

技术领域

本申请涉及一种填充间隙用溶胀胶带及其使用。

背景技术

在很多情况下,需要对两个间隔对象之间的间隙进行填充,并且,具有间隙的两个对象通过填充该间隙而被固定在合适的位置。

例如,在将电极组件收纳于圆柱形壳体中以制造电池时,电极组件的尺寸通常比圆柱形壳体的尺寸要小,因此,在电极组件和壳体内壁之间存在间隙。在这种情况下,收纳于壳体中的电极组件可能由于外部振动或冲击而在壳体内部自由移动,这可能导致电池的内部电阻的增大或者电极片的损坏,从而极大地劣化电池的性能。因此,应该对间隙进行填充并且将电极组件牢固地固定在合适的位置。

发明内容

技术问题

本申请提供一种填充间隙用溶胀胶带。

技术方案

本申请涉及一种填充间隙用溶胀胶带。该胶带的一个实例可以包括基底层,以及在所述基底层的一个表面上形成的压敏粘合层。

此处,上述基底层与流体(比如液体)接触时可以在长度方向上变形。例如,在一个实施例中,所述基底层可以为与流体(比如液体)接触时在长度方向上膨胀的基底层。

此处所使用的术语“长度方向”可以是指当所述基底层保持水平时,与该基底层的厚度方向(例如,图1中的箭头所指示的方向)垂直的方向。另外,本文所使用的术语“垂直”和“水平”是指在不损害所需效果的情况下基本上垂直和基本上水平,并且例如可以允许±10°、±5°或±3°的误差。

所述基底层可以在包括在该基底层的平面上的水平、垂直或对角线方向的任何方向上变形(例如膨胀),只要该层在长度方向上变形(例如膨胀)即可。

在一个实施例中,所述基底层在长度方向上可以具有按照等式2的10%以上的变形率。

[等式2]

基底层长度方向的变形率=(L2-L1)/L1×100

在等式2中,L1为在所述基底层与流体接触前该基底层的初始长度,而L2为该基底层与流体接触24小时后测得的该基底层的长度。

在计算等式2中,与所述基底层接触的流体的具体种类根据待填充间隙的具体状态而进行选择,但本发明并不特别局限于此。在一个实施例中,当待填充的间隙是在电极组件和收纳该电极组件的壳体之间形成的间隙时,所述流体可以是注入壳体的液态电解质。例如,术语“电解质”可以是指用于电池中的离子传导介质。另外,术语“室温”可以是指不被加热或冷却的自然温度,例如,约10℃至约30℃、约20℃至约30℃或约25℃。

基底层可以根据所要实现的三维形状的尺寸而变形,例如,在长度方向上的变形率可以为30%以上、40%以上、50%以上、60%以上、70%以上、80%以上、或者90%以上。对于基底层在长度方向上的变形率的上限没有特殊限制。换句话说,变形率越高,可实现的三维形状越大。因此,例如,根据所需三维形状的尺寸,可以对变形率进行控制。例如,所述基底层的变形率可以为500%。

在等式2中,L1和L2分别为所述基底层与流体接触前、后测得的该基底层的长度。在相对于基底层的预定方向上测量前述长度,只要在测量L1和L2时应用相同的方向,则对于该长度测量的方向没有特殊限制。

例如,当基底层为矩形片时,该基底层的长度可以是在片状的水平、垂直或对角线方向上的长度,或者可以是在片状的平面内的任意方向上的长度。然而,由于在相同的方向进行L1和L2的测量,因此,例如,当L1用作基底层的长度方向时,则L2也用作该基底层的长度方向。

对于基底层的形状没有特殊限制,例如,可以为膜或片的形状类型。另外,所述膜或片类型的基底层可以为矩形、圆形、三角形或不规则的形状。

所述基底层根据ASTM D2240的肖式A(shore A)硬度可以为70A以上。基底层根据JIS K-7311的肖式D(shore D)硬度可以为40D以上。当基底层的硬度如上所述维持时,当实现三维形状时可以提供优异的支撑强度和阻抗以填充间隙,并且可以防止在膜的解绕过程中膜的延长和变形。基底层的硬度的上限没有特殊限制,但是,例如,肖式A硬度的上限可以为100A或95A,而例如,肖式D硬度的上限可以为100D或85D。

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