[发明专利]半导体元件搭载用基板及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件搭载用基板的制造方法，其特征在于，

依次经过下述(a)～(g)的工序：

(a)在金属板的表面，使用将各自不同的波长设计成主要的感光波长的2种抗蚀剂，形成由下抗蚀剂层和上抗蚀剂层这2层构成的抗蚀剂层的工序；

(b)在所述下抗蚀剂层未曝光的状态下，按照预定图案对所述上抗蚀剂层进行曝光的工序；

(c)显影工序，在所述上抗蚀剂层中形成预定图案的开口部，从所述开口部，针对未曝光状态的所述下抗蚀剂层，通过所述上抗蚀剂层的图案来形成开口部而部分性地露出所述金属板的表面；

(d)对所述下抗蚀剂层进行曝光而使得硬化的工序；

(e)在从所述下抗蚀剂层露出了的所述金属板的表面，形成预定的镀敷层的工序；

(f)剥离包括由所述下抗蚀剂层和上抗蚀剂层这2层构成的抗蚀剂层在内的所有抗蚀剂层的工序；以及

(g)使在所述(e)的工序中形成了的镀敷层的侧面粗化的工序。

2.根据权利要求1所述的半导体元件搭载用基板的制造方法，其特征在于，

在所述(c)的显影工序中，

关于所述下抗蚀剂层，通过从设置于所述上抗蚀剂层的开口部起使显影进展，部分性地露出所述金属板的表面，并在所述下抗蚀剂层中形成开口部，

从而在所述下抗蚀剂层中设置了的开口部的剖面是逆梯形形状。

3.根据权利要求1或者2所述的半导体元件搭载用基板的制造方法，其特征在于，

将所述下抗蚀剂层和上抗蚀剂层合起来的2层的抗蚀剂层的厚度大于在(e)的工序中形成的在金属板的表面形成了的所述镀敷的厚度。

4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的半导体元件搭载用基板的制造方法，其特征在于，

在所述(b)的工序中，在用于曝光的光源与形成了预定图案的掩模之间设置从光源的光提取预定波长的光的滤光器，使用通过所述滤光器提取了的预定波长的光而仅对所述上抗蚀剂层进行曝光。

5.根据权利要求1～4中的任意一项所述的半导体元件搭载用基板的制造方法，其特征在于，

在所述(g)的工序中，通过利用有选择性的蚀刻液处理对所述金属板的表面露出了的部分实施期望的镀敷而形成了的镀敷层的图案侧面，在图案侧面形成粗化面。

6.一种半导体元件搭载用基板，其特征在于，依次经过如下工序制造：

在所述金属板的表面，使用主要的感光波长不同的抗蚀剂，形成由下抗蚀剂层和上抗蚀剂层这2层构成的抗蚀剂层的工序；

在所述下抗蚀剂层未曝光的状态下，按照预定的图案仅对所述上抗蚀剂层进行曝光的工序；

显影工序，在所述上抗蚀剂层中，按照预定的图案形成开口部，从所述开口部，针对未曝光的所述下抗蚀剂层，通过所述上抗蚀剂层的图案来形成开口部而部分性地露出所述金属板的表面；

对所述下抗蚀剂层进行曝光而使得硬化的工序；

在从所述下抗蚀剂层露出了的所述金属板的表面，形成多个镀敷层的工序；

剥离包括由所述下抗蚀剂层和上抗蚀剂层这2层构成的抗蚀剂层在内的所有抗蚀剂层的工序；以及

使所述形成了的镀敷层的侧面粗化的工序，

其中，所述镀敷层的剖面形状是大致逆梯形的形状，并且所述镀敷层的侧面是粗化面。

7.根据权利要求6所述的半导体元件搭载用基板，其特征在于，

在所述金属板的表面形成的多个镀敷层中，占据镀敷层厚度最大的部位的镀敷层由铜、镍、或者它们的合金组成物形成。