[发明专利]半导体加工装置以及半导体加工方法有效

专利信息
申请号: 201380060482.3 申请日: 2013-11-19
公开(公告)号: CN105103049B 公开(公告)日: 2019-05-14
发明(设计)人: P·林德纳 申请(专利权)人: EV集团E·索尔纳有限责任公司
主分类号: G03F7/00 分类号: G03F7/00;G03F7/20;G03F1/64
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 朱君;刘春元
地址: 奥地利圣*** 国省代码: 奥地利;AT
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摘要:
搜索关键词: 半导体 加工 装置 以及 方法
【说明书】:

发明涉及具有用于支撑带有平板平面的平板的支撑部件的半导体加工装置,所述平板平面具有a)具有平坦度的功能区域(4)、b)至少以分段方式围绕功能区域(4)的支撑区域(5)以及c)布置在功能区域(4)的外部和支撑区域(5)的外部的加载区域(6),其中支撑部件(2、2′、2″、2″′、2IV)构造为在支撑区域(5)中支撑平板(1)并且其中加载部件是能够这样控制的,使得通过功能区域(4)的变形能够调整和/或能够改变和/或能够影响和/或能够调节平坦度,其特征在于,加载部件包括至少一个真空区域(7),所述真空区域允许在支撑区域(5)中平板(1)的变形。此外本发明涉及相应的方法。

技术领域

本发明涉及具有用于支撑带有平板平面的平板的支撑部件的半导体加工装置以及相应的半导体加工方法。

背景技术

在半导体工业中已知不同的物理方法和/或化学方法,借助于所述物理方法和/或化学方法能够快速、有效且节约成本地制造微范围和/或毫微范围内的结构。最经常使用的方法之一是平版印刷。将平版印刷理解为结构到其他材料的转移。

最知名的平版印刷方法是光学平版印刷。在光学平版印刷过程中利用在频率上窄带的、几何上相应较宽的光束以便于全面地照射结构化的掩膜。该掩膜由对所使用光的波长透明的基本材料制成。大多数情况下通过蒸镀过程制造的、由对所使用光的波长不透明的材料制成的薄层结构位于两个相对的表面至少之一上。薄层结构的不透明单元在相应的位置阻止光子的穿透。透明的、未被不透明薄层结构覆盖的位置允许光子不受阻的通行。由此,能够实现掩膜的透明区域到任意表面上的成像。在最经常的实施方式中,将该方法用于将透明区域成像到聚合物中,所述聚合物对相应波长的光子反应敏感而且通过照射引起化学反应。通过另外的过程,掩膜的相应的阳面或阴面能够在聚合物层中产生并且对另外的过程步骤用作衬底上相应的聚合物掩膜。

另一种越来越重要的平版印刷方法是压印。在该方法中,将冲头的表面处的结构用于在压印材料中留下相应的阴面。压印材料在冲头的脱模之前硬化。用来产生相应的结构所需要的过程步骤的数量能够比用于光学平版印刷过程的数量少一些。

用于结构转移的技术随着变得越来越小的结构变得越来越复杂。首先原因在于宏观的不均匀性对微观的元件的影响。因此例如每个通常的、放置在至少三个支撑件上的平板在重力场中具有弯曲,所述弯曲对于许多宏观的应用是能够忽略的。然而,如果打算将位于掩膜上的纳米大小的结构和/或微米大小的结构通过上面提及的光学平版印刷过程全面地、完整地且精确地成像,那么认识到:对于这样细小结构,掩膜的下陷不再能够被忽略。有关于光学平版印刷掩膜,问题还通过下列方式加剧,即首先结构必须变得越来越小,掩膜的直径必须变得越来越大。结构的减小有助于之前的、已经提及的小型化。增加掩膜直径是必须的,原因在于被照射的聚合物层涂到越来越大的晶片上,以便于提高要生产的功能单元,例如微芯片、MEMS等的生产率。同时掩膜应该变得越来越薄以便于允许尽可能多的光穿过掩膜的透明区域来提高强度。

有关于用于压印平版印刷的冲头存在类似的考虑。

发明内容

因此本发明的任务是:给出半导体加工装置和半导体加工方法,利用所述半导体加工装置和半导体加工方法在大面积情况下也能够能可复制地制造精确的结构。

该任务利用下文所述的方案得以解决。在下文给出本发明的有利的改进方案。所有由本申请给出的特征的至少两个构成的结合也落在本发明的框架内。在给出值范围的情况下,位于提到的边界内的值也应该明显地认为是边界值并且能够以任意的结合要求保护。

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