[发明专利]离子布植机的维护方法有效
申请号: | 201380060603.4 | 申请日: | 2013-09-30 |
公开(公告)号: | CN104813435B | 公开(公告)日: | 2017-03-08 |
发明(设计)人: | 威廉·T·理威;乔治·M·葛梅尔;具本雄;布兰特·S·宾斯;理查尔·M·怀特 | 申请(专利权)人: | 瓦里安半导体设备公司 |
主分类号: | H01J37/24 | 分类号: | H01J37/24;H01J37/248;H01J37/317;H01J37/32 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 马爽,臧建明 |
地址: | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 离子 布植机 维护 方法 | ||
1.一种离子布植机的维护方法,其特征在于,包括:
以正常操作模式操作所述离子布植机持续第一时段;
于所述第一时段后,进行第一电浆辅助调节以减少故障率,其中通过修正施加至所述离子布植机中的萃取电极的电压来进行电浆辅助调节;
于所述第一电浆辅助调节后,以正常操作模式操作所述离子布植机持续第二时段;以及
于所述第二时段后,进行电浆辅助清洁,其中通过修正离子源腔室与所述萃取电极之间的距离及修正所述离子源腔室中所用的源气体来进行电浆辅助清洁。
2.根据权利要求1所述的离子布植机的维护方法,其中监测所述离子布植机的所述故障率,且当所述监测故障率超过第一临界值时,启动所述第一电浆辅助调节。
3.根据权利要求1所述的离子布植机的维护方法,还包括:
于所述第二时段后,进行第二电浆辅助调节;
于所述第二电浆辅助调节后,以正常操作模式操作所述离子布植机持续第三时段,且其中于所述第三时段后,进行所述电浆辅助清洁。
4.根据权利要求3所述的离子布植机的维护方法,监测所述离子布植机的所述故障率,且当经监测的所述故障率超过第一临界值时,启动所述第一电浆辅助调节及所述第二电浆辅助调节。
5.根据权利要求3所述的离子布植机的维护方法,其中所述第一时段包括第一预定时间区间且所述第二时段包括第二预定时间区间,其中所述第二预定时间区间小于所述第一预定时间区间。
6.根据权利要求1所述的离子布植机的维护方法,其中所述进行电浆辅助调节及所述以正常操作模式操作各自进行预定的次数,且其中在所述预定次数后,启动所述电浆辅助清洁。
7.根据权利要求1所述的离子布植机的维护方法,其中修正施加至所述萃取电极的所述电压包括对所述萃取电极施加偏压,相较于所述正常操作模式期间所用的电压,所述偏压具有较小的负电压,且其中所述电浆辅助调节更包括以大于所述正常操作模式期间所用的功率准位的功率准位操作离子源中的电浆产生器。
8.根据权利要求1所述的离子布植机的维护方法,其中修正所述距离包括增加所述离子源腔室与所述萃取电极之间的所述距离。
9.一种离子布植机的维护方法,其特征在于,包括:
以正常操作模式操作所述布植机;
监测所述离子布植机中的故障率,故障由涂布配置于所述离子布植机中的萃取电极的材料所产生;
当经监测的所述故障率超过预定临界值时,为了减少所述故障率,中断所述正常操作模式而进行电浆辅助调节,其中通过修正施加至所述离子布植机中的所述萃取电极的电压来进行所述电浆辅助调节;以及
当于所述萃取电极上的材料的厚度经测定而超过预定值时,进行电浆辅助清洁,其中通过增加离子源腔室与所述萃取电极之间的距离及修正所述离子源腔室中所用的源气体来进行所述电浆辅助清洁。
10.根据权利要求9所述的离子布植机的维护方法,其中基于进行所述电浆辅助调节的次数来做所述测定。
11.根据权利要求9所述的离子布植机的维护方法,其中当连续的所述电浆辅助调节之间的时间的区间小于预定值时,做所述测定。
12.根据权利要求9所述的离子布植机的维护方法,其中修正施加至所述萃取电极的所述电压包括对所述萃取电极施加偏压,相较于所述正常操作模式期间所用的电压,所述偏压具有较小的负电压,且其中所述电浆辅助调节还包括以大于所述正常操作模式期间所用的功率准位的功率准位操作离子源中的电浆产生器。
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