[发明专利]包含TiN‑X中间层的磁堆

权利要求书

1.一种堆，包含：

基片；

磁性记录层；以及

位于所述基片与所述磁性记录层之间的TiN-X层，其中X是掺杂剂，

其中，X是含量大于0体积％且小于或等于约40体积％的TiO_x或含量大于0且小于或等于约30体积％的ZrO_x，TiN-X层包含具有TiN-X和TiN晶粒中的至少一种的两相晶粒层，

且其中，至少一些掺杂剂位于TiN-X层的晶粒之间的晶粒边界。

2.如权利要求1所述的堆，其特征在于，所述磁性记录层包含：

含有FePt、FeXPt合金、FePd、FeXPd、Co₃Pt中至少一种的磁性晶粒；以及

位于所述晶粒之间且包含氧化物、氮化物、硼化物和碳化物材料中至少一种的非磁性隔离体。

3.如权利要求1所述的堆，其特征在于，X是TiO₂，并且X在TiN-X层中的含量大于0且小于或等于约40体积％。

4.如权利要求1所述的堆，其特征在于，X是ZrO₂，并且X在TiN-X层中的含量大于0且小于或等于约30体积％。

5.如权利要求1所述的堆，其特征在于，

X包含TiO₂；且

磁性记录层包含磁性晶粒和位于磁性晶粒之间的非磁性隔离体，所述磁性晶粒在磁性记录层平面内的平均直径小于约8.5nm。

6.如权利要求1所述的堆，其特征在于，

X包含ZrO₂；且

磁性记录层包含磁性晶粒和位于磁性晶粒之间的非磁性隔离体，所述磁性晶粒在磁性记录层平面内的平均直径小于约6nm。

7.如权利要求1所述的堆，其特征在于，磁性记录层包含FePt磁性晶粒和位于晶粒之间的包含SiO_x和C的非磁性隔离体，所述磁性记录层包含约35-45体积％的SiO_x和约20体积％的C。

8.如权利要求1所述的堆，其特征在于，TiN-X层的厚度小于约30nm。

9.如权利要求1所述的堆，该堆还包含软磁性衬层，所述软磁性衬层包含CrRu和MgO中的一种或多种，其中所述TiN-X层位于软磁性衬层之上。

10.如权利要求9所述的堆，其特征在于，TiN-X层的厚度在约5-10nm之间。

11.如权利要求1所述的堆，其特征在于，X是TiO₂，TiN-X层包含TiO_0.45N_0.55。

12.如权利要求1所述的堆，该堆还包含设置在基片与TiN-X层之间的未掺杂TiN层。

13.如权利要求12所述的堆，其特征在于，垂直于堆表面穿过TiN-X层的热传导大于TiN-X层中的横向热传导。

14.如权利要求1所述的堆，其特征在于，TiN-X层中X的含量在垂直于堆表面的方向上变化。

15.如权利要求14所述的堆，其特征在于，TiN-X层包含TiO_yN_1-y，其中y在垂直于堆表面的方向上变化。

16.如权利要求14所述的堆，其特征在于，TiN-X层包含ZrTiO_yN_1-y，其中y在垂直于堆表面的方向上变化。

17.一种制造堆的方法，所述方法包括：

通过共沉积TiN和X形成TiN-X层，其中X包含TiO_x和ZrO_x中的至少一种；以及

在TiN-X层上外延生长FePt磁性层，

其中，X是含量大于0体积％且小于或等于约40体积％的TiOx或含量大于0且小于或等于约30体积％的ZrOx，TiN-X层包含具有TiN-X和TiN晶粒中的至少一种的两相晶粒层，

且其中，至少一些掺杂剂位于TiN-X层的晶粒之间的晶粒边界。