[发明专利]用于对行敲击事件进行响应的方法、装置和系统

说明书

技术和机制用于促进为存储器中的行的定向刷新作准备的存储器设备的操作模式。在实施例中，存储器设备在操作在该模式中的同时执行一个或多个操作以为来自存储器控制器的将来的命令作准备，所述命令至少部分地实施存储器设备的第一存储体中的行的定向刷新。在这样的命令之前，存储器设备服务于来自存储器控制器的另一个命令。在另一个实施例中，服务于另一个命令包括存储器设备在存储器设备在该模式中操作的同时和在完成预期的将来的定向行刷新之前访问存储器设备的第二存储体。

背景技术

1. 技术领域

本发明的实施例总体上涉及存储器管理，并且更具体地涉及存储器刷新操作的控制。

2. 背景技术

随着计算技术的进步，计算设备更小，并且具有更强的处理能力。另外地，它们包括越来越多的储存器和存储器来满足在设备上执行的编程和计算的需要。通过提供高密度设备来实现与增加的储存容量一起的设备的缩小的尺寸，其中存储器设备内的原子储存单元具有越来越小的几何尺寸。

随着连续代的越来越紧凑的存储器设备，间发故障已经变得更频繁。例如，一些现有的基于DDR3的系统在繁重工作负荷的情况下经历间发故障。研究员已经跟踪了在存储器单元的刷新窗口内对存储器的单个行的重复访问的故障。例如，对于32 nm工艺，如果在64毫秒刷新窗口中对行进行550K次或更多的访问，则与被访问的行在物理上相邻的字线（wordline）具有经历数据损坏（corruption）的非常高的概率。对单个行的行敲击（hammering）或重复访问能够引起跨传输门（passgate）的迁移。由对单行的重复访问所引起的泄漏和寄生电流引起未被访问的物理上相邻的行中的数据损坏。已经由经常地看到这一点的DRAM行业将该故障问题标记为“行敲击”或者“行干扰”问题。

最近，已经引入定向（targeted）行刷新技术来减轻行敲击的效应。促进定向行刷新的各种操作趋向于使存储器子系统中的其它过程的定时复杂化。随着存储器技术继续扩张，人们预期到，对定向行刷新技术的依赖有所增加。该增加的信赖提出保护DRAM和其他类型的存储器系统的性能的挑战。

附图说明

在附图的图中通过示例的方式而非通过限制的方式图示本发明的各个实施例，并且在附图中：

图1是图示出根据实施例的用于执行定向刷新的系统的元件的框图。

图2是图示出根据实施例的用于对行敲击事件进行响应的系统的元件的框图。

图3是图示出根据实施例的用于控制存储器设备的方法的元素的流程图。

图4是图示出根据实施例的用于对行敲击事件进行响应的存储器设备的元件的框图。

图5是图示出根据实施例的用于操作存储器设备的方法的元素的流程图。

图6是根据实施例的图示出存储器控制器和存储器设备之间的交换的时序图。

图7是图示出根据实施例的用于执行定向存储器刷新的计算系统的元件的框图。

图8是图示出根据实施例的用于执行定向存储器刷新的移动设备的元件的框图。

具体实施方式

在本文讨论的实施例不同地提供促进特定于存储器设备中的存储器的行的定向刷新的技术和/或机制。将被刷新的行例如可以处于是在相邻的目标行的行敲击的受害（victim）的危险之中。在实施例中，动态随机存取存储器（DRAM）或其它存储器设备检测到指示——例如从耦合到其的存储器控制器接收到的指示——特定目标行经受行敲击。