[发明专利]存储元件和存储装置

权利要求书

1.一种按顺序设置有第一电极、存储层和第二电极的存储元件，所述存储层包括：

离子源层，所述离子源层含有选自碲(Te)、硫(S)和硒(Se)中的一种或多种硫族元素以及选自元素周期表的第4族元素、第5族元素和第6族元素中的一种或多种过渡金属元素；和

电阻变化层，所述电阻变化层含有硼(B)和氧(O)。

2.根据权利要求1所述的存储元件，其中包含在所述电阻变化层中的硼(B)的一部分或全部与氧(O)结合。

3.根据权利要求1所述的存储元件，其中所述电阻变化层包含选自钨(W)、铪(Hf)、碳(C)、硅(Si)、钽(Ta)、碳(C)、镁(Mg)、铜(Cu)、镍(Ni)、锆(Zr)和钆(Gd)中的一种或多种作为添加元素。

4.根据权利要求3所述的存储元件，其中包含在所述电阻变化层中的硼(B)的含量(B的组成比/B与所述添加元素的总组成比)为30％以上。

5.根据权利要求3所述的存储元件，其中所述电阻变化层具有包括第一电阻变化层和第二电阻变化层的层叠构造，第一电阻变化层含有硼(B)，第二电阻变化层含有氧化物或氮化物形式的一种或多种的所述添加元素。

6.根据权利要求5所述的存储元件，其中第一电阻变化层含有氧(O)。

7.根据权利要求5所述的存储元件，其中第一电阻变化层和第二电阻变化层从第一电极侧按这种顺序层叠。

8.根据权利要求5所述的存储元件，其中第二电阻变化层和第一电阻变化层从第一电极侧按这种顺序层叠。

9.根据权利要求1所述的存储元件，其中所述离子源层含有氧(O)或氮(N)。

10.根据权利要求1所述的存储元件，其中通过向第一电极和第二电极进行电压施加而在所述电阻变化层内形成含有所述过渡金属元素或含有氧缺陷的低电阻部来改变电阻值。

11.一种按顺序设置有第一电极、存储层和第二电极的存储元件，所述存储层包括：

离子源层，所述离子源层含有选自碲(Te)、硫(S)和硒(Se)中的一种或多种硫族元素以及选自元素周期表的第4族元素、第5族元素和第6族元素中的一种或多种过渡金属元素；和

电阻变化层，所述电阻变化层含有选自元素周期表的第4族元素、第5族元素和第6族元素中的一种或多种过渡金属元素和氧(O)。

12.根据权利要求11所述的存储元件，其中所述电阻变化层具有包括第一电阻变化层和第二电阻变化层的层叠构造，第一电阻变化层含有硼(B)和氧(O)，第二电阻变化层含有氧化物或氮化物形式的一种或多种添加元素。

13.根据权利要求12所述的存储元件，其中第一电阻变化层、第二电阻变化层和所述离子源层从第一电极侧按这种顺序层叠。

14.根据权利要求12所述的存储元件，其中第一电阻变化层含有碳(C)。

15.根据权利要求11所述的存储元件，其中所述离子源层包含铪(Hf)作为所述过渡金属元素。

16.根据权利要求11所述的存储元件，其中通过向第一电极和第二电极进行电压施加而在所述电阻变化层内形成含有所述过渡金属元素或含有氧缺陷的低电阻部来改变电阻值。

17.一种设置有多个存储元件和脉冲施加装置的存储装置，所述各存储元件按顺序包括第一电极、存储层和第二电极，所述脉冲施加装置构造成选择性地向所述多个存储元件施加电压或电流的脉冲，所述存储层包括：

离子源层，所述离子源层含有选自碲(Te)、硫(S)和硒(Se)中的一种或多种硫族元素以及选自元素周期表的第4族元素、第5族元素和第6族元素中的一种或多种过渡金属元素；和

电阻变化层，所述电阻变化层含有硼(B)和氧(O)。

18.一种设置有多个存储元件和脉冲施加装置的存储装置，所述各存储元件按顺序包括第一电极、存储层和第二电极，所述脉冲施加装置构造成选择性地向所述多个存储元件施加电压或电流的脉冲，所述存储层包括：

离子源层，所述离子源层含有选自碲(Te)、硫(S)和硒(Se)中的一种或多种硫族元素以及选自元素周期表的第4族元素、第5族元素和第6族元素中的一种或多种过渡金属元素；和

电阻变化层，所述电阻变化层含有选自元素周期表的第4族元素、第5族元素和第6族元素中的一种或多种过渡金属元素和氧(O)。