[发明专利]层压的电子或光电子有机器件

权利要求书

1.一种结构，所述结构包括：至少两个不可渗透的基板，这些基板中的至少一个是透明的，在这两个基板之间的至少一个插入的粘性膜和至少一个有机电子或光电子器件，所述器件包括有机层的堆叠，所述有机层的堆叠包括光电活性层，在所述光电活性层的任一侧上是有助于电荷传输的另外的有机层(在这些层之中可以提及空穴传输层和电子传输层)，所述器件包括使光发射、电荷产生和/或传输成为可能的有机半导体层的堆叠，所述堆叠插入在两个载体之间，所述有机层的堆叠唯一地含有玻璃化转变温度(T_gM)为以下这样的材料：

Tg_M-Tg_f≥130℃

其中Tg_f：构成所述插入的粘性膜的材料的玻璃化转变温度。

2.如权利要求1所述的结构，其中所述插入的粘性膜包括至少一个塑料层，所述塑料选自聚乙烯醇缩丁醛、聚氨酯、聚碳酸酯、聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚丙烯、乙烯/乙酸乙烯酯共聚物、环烯烃共聚物、聚乙烯、热塑性聚酯、丙烯酸树脂或氯乙烯/甲基丙烯酸缩水甘油酯共聚物。

3.如以上权利要求中任一项所述的结构，其中所述结构是层压结构，其中构成所述有机层的堆叠的这些材料具有大于或等于在所述组装方法过程中要求的最大温度(T_a)的玻璃化转变温度(Tg_M)。

4.如以上权利要求中任一项所述的结构，其中这两个不可渗透的基板中的至少一个是玻璃基板。

5.如权利要求4所述的结构，其中所述玻璃基板是扁平或弯曲的。

6.如权利要求4和5中任一项所述的结构，其中至少一个玻璃基板用一个导电层覆盖，所述导电层具有小于或等于15Ω/□的薄层电阻。

7.如权利要求6所述的结构，其中所述导电层选自银(单或双银)低发射堆叠或基于掺杂氧化物的导电涂层(TCO)，优选选自锡掺杂的氧化铟(ITO)、用至少一种选自铝和镓的掺杂元素掺杂的氧化锌、以及用氟或用锑掺杂的氧化锡。

8.如以上权利要求中任一项所述的结构，其中：

Y-X≥0.3mm

其中X代表所述有机发光器件的载体的厚度总和，以mm表示，并且Y代表所述插入的粘性膜的厚度，以mm表示。

9.如以上权利要求中任一项所述的结构，其中所述有机发光器件的载体的厚度总和小于或等于2.0mm、优选小于或等于1.1mm。

10.如以上权利要求中任一项所述的结构，其中所述插入的粘性膜的厚度大于或等于0.4mm、优选大于或等于0.8mm。