[发明专利]电流分散效果优秀的发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种发光器件，其特征在于，包括：

发光结构体，形成于基板上，所述发光结构体包括第一半导体层、活性层及第二半导体层，直到所述第二半导体层及所述活性层形成有多个沟槽；

第一电极，与所述发光结构体的第二半导体层相接触；以及

第二电极，沿着所述基板的至少一个边缘与所述发光结构体的第一半导体层相接触。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一电极由单层形成或由多层层叠而成。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第二电极的一部分或全部由与所述第一电极的一部分或全部相同的结构体形成。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，在所述第二电极的一部分，向基板的内侧形成有至少一个突出部。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述基板包括：

第一区域，是指与第一凸点相对应的区域；以及

第二区域，是指与第二凸点相对应的区域。

6.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，还包括：

绝缘层，形成于所述第一电极、第二电极及发光结构体上，所述绝缘层包括形成于所述第一区域内的多个第一接触孔、至少一个第二接触孔及形成于所述第二区域的多个第三接触孔，所述第一接触孔用于使所述第一半导体层露出，所述第二接触孔用于使所述第二电极露出，所述第三接触孔用于使所述第一电极露出；

所述第一凸点，形成于所述第一区域的所述绝缘层上，所述第一凸点通过所述第一接触孔与所述第一半导体层进行焊接，并通过所述第二接触孔与所述第二电极进行焊接；

所述第二凸点，形成于所述第二区域的所述绝缘层上，所述第二凸点通过所述第三接触孔与所述第一电极进行焊接；以及

副封装基板，焊接于所述第一凸点及第二凸点，所述副封装基板具有分别与所述第一凸点及第二凸点相对应的第一导电板及第二导电板。

7.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，所述第二接触孔形成于所述线突出部上。

8.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，在所述第一电极和所述绝缘层之间还形成有包围所述第一电极的露出面的金属保护层。

9.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一半导体层为n型半导体，所述第二半导体层为p型半导体。

10.根据权利要求9所述的发光器件，其特征在于，所述第一电极为P侧电极，所述第二电极为N侧电极。

11.一种发光器件的制备方法，其特征在于，包括：

在基板上形成包括第一半导体层、活性层及第二半导体层的发光结构体的步骤；

至少对所述第二半导体层及活性层进行刻蚀来形成多个沟槽的步骤；以及

在所述第二半导体层上形成第一电极，并在所述第一半导体层上沿着所述基板的至少一个边缘由与所述第一电极的一部分或全部相同的结构体形成第二电极的一部分或全部的步骤。

12.根据权利要求11所述的发光器件的制备方法，其特征在于，所述第一电极由单层形成或由多层层叠而成。

13.根据权利要求11所述的发光器件的制备方法，其特征在于，在所述第二电极的一部分，向所述基板的内侧还形成有至少一个突出部。

14.根据权利要求11所述的发光器件的制备方法，其特征在于，所述第二电极与所述第一电极通过同期工序形成。

15.根据权利要求11所述的发光器件的制备方法，其特征在于，所述沟槽通过台面刻蚀工序形成。

16.根据权利要求11所述的发光器件的制备方法，其特征在于，所述基板包括：

第一区域，是指与第一凸点相对应的区域；以及

第二区域，是指与第二凸点相对应的区域。