[发明专利]抗蚀膜、导电膜、PTFE膜、荧光体成膜、以及绝缘膜的 形成装置及其方法有效

专利信息
申请号: 201380062908.9 申请日: 2013-11-11
公开(公告)号: CN105493233B 公开(公告)日: 2019-12-03
发明(设计)人: 小林一彦;须田圭祐 申请(专利权)人: 山田尖端科技公司
主分类号: H01L21/027 分类号: H01L21/027;B05B5/025;B29C33/58;B29C33/72
代理公司: 11219 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 高培培;车文<国际申请>=PCT/JP2
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 抗蚀膜 基板 形成装置 喷嘴 台阶部 粒子 静电喷雾装置 静电喷雾 驱动单元 使用液 喷雾 液剂 薄膜 施加 移动
【权利要求书】:

1.一种抗蚀膜形成装置,通过静电喷雾在基板上形成抗蚀膜,其特征在于,具有:

喷嘴,通过被施加规定的电压,将作为所述抗蚀膜的原料的液剂的粒子朝向具有台阶部的所述基板喷雾;

驱动单元,在进行静电喷雾的过程中使所述基板或所述喷嘴在面内方向以及高度方向上相对地移动;

控制单元,以使用所述液剂的粒子在具有所述台阶部的所述基板上形成所述抗蚀膜的方式进行控制;

相机,观察所述液剂的粒子的涂敷状态,

所述控制单元根据所述相机的观察结果来控制所述喷嘴的位置。

2.一种抗蚀膜形成装置,通过静电涂敷在具有凸点的半导体芯片上形成抗蚀膜,其特征在于,具有:

喷嘴,通过被施加规定的电压,将作为所述抗蚀膜的原料的液剂的粒子向所述半导体芯片涂敷;

驱动单元,在进行静电涂敷的过程中使所述半导体芯片或所述喷嘴在面内方向以及高度方向上相对地移动;

控制单元,以使用所述液剂的粒子在具有所述凸点的所述半导体芯片中的除了该凸点的上表面之外的该凸点的周围选择性地形成所述抗蚀膜的方式进行控制;及

相机,观察所述液剂的粒子的涂敷状态,

所述控制单元根据所述相机的观察结果来控制所述喷嘴的位置。

3.一种抗蚀膜形成方法,通过静电喷雾在基板上形成抗蚀膜,其特征在于,具有:

向喷嘴施加规定的电压的步骤;

将作为所述抗蚀膜的原料的液剂的粒子朝向具有台阶部的所述基板喷雾的步骤;

通过相机来观察所述液剂的粒子的涂敷状态的步骤;

在进行静电喷雾的过程中,根据所述相机的观察结果来使所述基板或所述喷嘴在面内方向以及高度方向上相对地移动的步骤;及

使用所述液剂的粒子在具有所述台阶部的所述基板上形成所述抗蚀膜的步骤。

4.一种抗蚀膜形成方法,通过静电涂敷在基板上形成抗蚀膜,其特征在于,具有:

向喷嘴施加规定的电压的步骤;

将作为所述抗蚀膜的原料的液剂的粒子向所述基板涂敷的步骤;

通过相机来观察所述液剂的粒子的涂敷状态的步骤;

在进行静电涂敷的过程中,根据所述相机的观察结果来使所述基板或所述喷嘴在面内方向以及高度方向上相对地移动的步骤;及

使用所述液剂的粒子在所述基板上形成所述抗蚀膜的步骤。

5.一种导电膜形成装置,通过静电喷雾或静电涂敷在工件上形成电磁屏蔽用的导电膜,其特征在于,具有:

喷嘴,通过被施加规定的电压,将作为所述导电膜的原料的液剂的粒子朝向所述工件喷雾或涂敷;

驱动单元,在进行静电喷雾或静电涂敷的过程中使所述工件或所述喷嘴在面内方向以及高度方向上相对地移动;

控制单元,以使用所述液剂的粒子在所述工件上形成所述导电膜的方式进行控制;及

相机,观察所述液剂的粒子的涂敷状态,

所述控制单元根据所述相机的观察结果来控制所述喷嘴的位置。

6.一种导电膜形成方法,通过静电喷雾或静电涂敷在半导体封装体上形成电磁屏蔽用的导电膜,其特征在于,具有:

向喷嘴施加规定的电压的步骤;

将作为所述导电膜的原料的液剂的粒子从所述喷嘴朝向所述半导体封装体喷雾或涂敷的步骤;

通过相机来观察所述液剂的粒子的涂敷状态的步骤;

在进行静电喷雾或静电涂敷的过程中,根据所述相机的观察结果来使所述半导体封装体或所述喷嘴在面内方向以及高度方向上相对地移动的步骤;及

通过所述液剂的粒子在所述半导体封装体上形成所述导电膜的步骤。

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