[发明专利]用于有机电子器件的杂并苯化合物

说明书

有机半导体材料可以用于电子器件如有机光伏器件(OPV)，有机场效应晶体管(OFET)、有机发光二极管(OLED)和有机电致变色器件(ECD)中。

为了有效和长持续性能，期望有机半导体材料基器件显示出高电荷载流子迁移率以及高稳定性，尤其是对空气氧化的高稳定性。

此外，期望有机半导体材料与液体加工技术如旋涂相容，因为液体加工技术从可加工性角度看是有利的，并且因此允许生产低成本有机半导体材料基电子器件。此外，液体加工技术还可以与塑料基材相容，并且因此允许生产轻质且机械柔韧的有机半导体材料基电子器件。

有机半导体材料可以是p型或n型有机半导体材料。期望这两种类型的有机半导体材料可以用于生产电子器件。

本领域中已知在电子器件中使用含有噻吩并单元的杂并苯化合物作为p型半导体材料。

WO 2011/067192描述了如下通式的共聚物：

以及尤其是下式的共聚物：

含有该特定共聚物作为半导体材料的有机场效应晶体管(OFET)显示出1.29(±0.28)×10^-3cm²/V s的电荷载流子迁移率和3.8(±0.2)×10³的开/关比。

Wang，J.；Y；Zhou，Y.；Yan，J.；Ding，L.；Ma，Y.；Cao，Y.；Wang，J.；Pei，J.Chem.Mater.2009，21，2595-2597描述了下列化合物：

含有这些化合物之一作为p型半导体材料的有机场效应晶体管(OFET)显示出至多0.4cm²/V s的电荷载流子迁移率。

US 2008/142792描述了如下通式的化合物：

含有下列化合物的有机场效应晶体管(OFET)显示出0.08cm²/V s的电荷载流子迁移率：

Yamamoto，T.；Takimiya，K.J.Am.Chem.Soc.2007，129，2224-2225描述了

含有DNTT的有机场效应晶体管(OFET)显示出高于2.0cm²/V s的电荷载流子迁移率和>10⁷的开/关比。

Nakayama，K.；Hirose，Y.；Soeda，J.；Yoshizumi，M.；Uemura，T.；Uno，M.；Li，W.；Kang，M.J.；Yamagishi，M.；Okada，Y.；Miyazaki，E.；Y.Nakazawa，Y.；Nakao，A.；Takimiya，K.；Takeya，J.Adv.Mater.2011，23，1626-1629描述了含有具有下式的C₁₀-DNTT的有机场效应晶体管(OFET)的制备：

C₁₀-DNTT的沉积由C₁₀-DNTT在1,2-二氯苯中的大约100℃热溶液进行。含有C₁₀-DNTT的有机场效应晶体管(OFET)显示出超过10.0cm²/V s的电荷载流子迁移率。

Niimi，K.；Shinamura，S.；Osaka，I.；Miyazaki，E.；Takimiya，K.J.Am.Chem Soc.2011，133，8732-8739描述了下列化合物：

使用蒸气加工DATT基器件实现高达3.0cm²/V s的电荷载流子迁移率。

US 2011/0210319描述了含有下列π-伸展含S杂芳烃化合物的有机场效应晶体管(OFET)：

这些OFET显示出下列电荷载流子迁移率：1.2(化合物167)，1.8(化合物250)，2.0(化合物638)，1.7(化合物881)cm²/V s，以及下列开/关比：2×10⁶(化合物167)，3×10⁶(化合物250)，4×10⁵(化合物638)和3×10⁶(化合物881)。

WO 2013/039842描述了下式的化合物：

本发明的目的是要提供改进的有机半导体材料，优选p型有机半导体材料。