[发明专利]半导体装置以及使用了该半导体装置的电力变换装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

第1导电类型的第1半导体层；

第2导电类型的第2半导体层，与所述第1半导体层邻接；

第1导电类型的多个第3半导体层，与所述第2半导体层邻接；

第2导电类型的多个第4半导体层，设置于所述第3半导体层的表面；

多个沟槽栅，设置于以所述第3半导体层的表面为侧壁的多个沟槽内；

第1主电极，与所述第1半导体层电连接；以及

第2主电极，与多个所述第3半导体层和多个所述第4半导体层电连接，

所述半导体装置还具备多个沟槽栅群，所述沟槽栅群包括相互邻接的3个以上的所述沟槽栅，

相邻的2个所述沟槽栅群的间隔比在一个所述沟槽栅群中相邻的2个所述沟槽栅的间隔宽。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在位于所述沟槽栅群的端部的所述沟槽栅相向的所述第3半导体层的表面设置所述第4半导体层。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在相邻的所述沟槽栅群之间设置有浮置的第2导电类型的第5半导体层。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述第5半导体层形成得比所述第3半导体层深。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

在所述第5半导体层与所述沟槽栅之间，介入有所述第2半导体层的一部分。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在所述第3半导体层与所述第2半导体层之间，设置有杂质浓度比所述第2半导体层高的第2导电类型的第6半导体层。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

在所述第6半导体层与所述第2半导体层之间，设置有第1导电类型的第7半导体层。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在多个所述沟槽中，包括：

第1沟槽，形成所述沟槽栅群的中央部中的所述沟槽栅；以及

第2沟槽，位于相邻的2个所述沟槽栅群之间，形成所述沟槽栅群的端部中的所述沟槽栅，

所述第2沟槽以位于所述端部的所述第3半导体层的表面为侧壁，并且以所述第2半导体层的表面为底面，并且所述第2沟槽的宽度比所述第1沟槽宽，

所述沟槽栅群的所述端部中的所述沟槽栅与所述侧壁相向。

9.一种电力变换装置，具备：一对直流端子；多个串联连接电路，连接于所述直流端子之间，串联连接多个半导体开关元件；以及多个交流端子，与多个所述串联连接电路的各串联连接点连接，所述电力变换装置通过所述多个半导体开关元件导通/断开来进行电力的变换，其特征在于，

所述多个半导体开关元件的各个是权利要求1所述的半导体装置。