[发明专利]含有低含量结晶二氧化硅的硅藻土助滤剂

权利要求书

1.一种硅藻土产品，其经过至少一个煅烧步骤，所述硅藻土产品包含：

硅藻土；

至少一种粘合剂；以及

不超过约4wt%的结晶二氧化硅；

其中，所述至少一个煅烧步骤在约927°C~约1149°C之间进行，其中所述至少一种粘合剂包含硅酸钾，且所述硅藻土产品的渗透率在约0.3达西至约20达西以上的范围内。

2.根据权利要求1所述的硅藻土产品，其特征在于，所述至少一种粘合剂由硅酸钾组成。

3.根据权利要求1所述的硅藻土产品，其特征在于，所述渗透率在约0.3达西至约20达西的范围内。

4.根据权利要求1所述的硅藻土产品，其特征在于，所述渗透率在约0.8达西至约20达西的范围内。

5.根据权利要求1所述的硅藻土产品，其特征在于，所述硅酸钾的含量在约1wt%至约10wt%的范围内。

6.根据权利要求1所述的硅藻土产品，其特征在于，所述渗透率在约1达西至约20达西的范围内。

7.根据权利要求1所述的硅藻土产品，其特征在于，所述渗透率在约1.2达西至约16达西的范围内。

8.根据权利要求1所述的硅藻土产品，其特征在于，所述结晶二氧化硅不超过约2wt%。

9.根据权利要求1所述的硅藻土产品，其特征在于，进一步包含：

定形剂，其包含木质素磺酸钙和氢氧化镁。

10.根据权利要求5所述的硅藻土产品，其特征在于，所述含量在约2wt%至约6wt%之间。

11.一种用于制造含有低含量的结晶二氧化硅的硅藻土产品的方法，包括：

提供天然硅藻土；

用至少一种粘合剂处理所述天然硅藻土，以形成混合物；以及

对所述混合物进行至少一个煅烧步骤；

其中，所述至少一个煅烧步骤在约927°C至约1149°C之间进行，其中所述至少一种粘合剂包含硅酸钾，所述硅藻土产品的渗透率在约0.3达西至约20达西以上的范围内，且所述硅藻土产品中所含的结晶二氧化硅的含量不大于约4wt%。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述至少一种粘合剂由硅酸钾组成。

13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述至少一个煅烧步骤在约982°C至约1093°C之间进行。

14.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述硅酸钾的含量在约1wt%至约10wt%的范围内。

15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述硅酸钾的含量在约2wt%至约6wt%的范围内。

16.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述渗透率在约1达西至约20达西的范围内。

17.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，进一步包括以下步骤：

在所述至少一个煅烧步骤之前，用定形剂处理所述混合物；

其中，所述定形剂包含木质素磺酸钙和氢氧化镁。

18.一种硅藻土助滤剂，其包含煅烧硅藻土产品，所述煅烧硅藻土产品具有：

含量不大于约4wt%的结晶二氧化硅；

约0.3达西至约20达西以上的渗透率范围；以及

包含硅酸钾的至少一种粘合剂；

其中所述硅藻土产品在约927°C至约1149°C之间煅烧至少约45分钟。

19.根据权利要求18所述的硅藻土助滤剂，其特征在于，所述渗透率在约0.3达西至约20达西的范围内。

20.根据权利要求18所述的硅藻土助滤剂，其特征在于，所述渗透率在约1达西至约20达西的范围内。