[发明专利]SOI晶圆的制造方法

权利要求书

1.一种SOI晶圆的制造方法，其从由半导体单晶基板构成的接合晶圆的表面，将氢气及稀有气体中一种以上的气体离子进行离子注入来形成离子注入层，在将该接合晶圆的进行过离子注入的表面与基底晶圆表面通过氧化膜进行贴合后，用热处理炉进行剥离热处理，在所述离子注入层剥离接合晶圆，由此制作SOI晶圆，其特征在于，

在所述剥离热处理后，在以低于3.0℃/min的降温速度降温至250℃以下后，将剥离后的SOI晶圆及接合晶圆从热处理炉中取出。

2.根据权利要求1所述的SOI晶圆的制造方法，其特征在于，作为形成所述离子注入层的接合晶圆，准备具有比表面氧化膜要厚的背面氧化膜的半导体单晶基板，通过该表面氧化膜进行所述离子注入。

3.根据权利要求2所述的SOI晶圆的制造方法，其特征在于，

作为具有比所述表面氧化膜要厚的背面氧化膜的半导体单晶基板，

使用通过如下方法制作的晶圆，即，在半导体单晶基板的整个表面形成热氧化膜后，通过去除表面侧的热氧化膜，来制作仅在背面侧具有热氧化膜的半导体单晶基板，通过对该仅在背面侧具有热氧化膜的半导体单晶基板进行热氧化来制作晶圆。

4.根据权利要求3所述的SOI晶圆的制造方法，其特征在于，在对所述仅在背面侧具有热氧化膜的半导体单晶基板进行热氧化前，对去除了热氧化膜的表面侧进行研磨。

5.根据权利要求2至4中任意一项所述的SOI晶圆的制造方法，其特征在于，作为具有比所述表面氧化膜要厚的背面氧化膜的半导体单晶基板，使用对在离子注入层剥离后的接合晶圆进行再生加工而制作的晶圆。

6.根据权利要求5所述的SOI晶圆的制造方法，其特征在于，不去除所述剥离后的接合晶圆的背面氧化膜而进行所述再生加工。

7.根据权利要求1至6中任意一项所述的SOI晶圆的制造方法，其特征在于，通过氢离子与氦离子的共同注入来进行所述离子注入，在该共同注入中将氦离子注入得比氢离子更深。