[发明专利]基板液体处理装置和基板液体处理方法有效
申请号: | 201380065321.3 | 申请日: | 2013-12-12 |
公开(公告)号: | CN104854681A | 公开(公告)日: | 2015-08-19 |
发明(设计)人: | 福田昌弘;久保明广;山本太郎;矢田健二;大河内厚 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/027 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液体 处理 装置 方法 | ||
1.一种基板液体处理装置,其对基板的背面供给清洗液进行清洗处理,所述基板液体处理装置的特征在于,包括:
基板保持部,其在基板的背面的中心部将基板保持为水平;
旋转驱动机构,其使所述基板保持部绕着铅直轴线旋转;
背面吹扫喷嘴,其对由所述基板保持部保持而旋转的基板的背面喷射吹扫气体;
周缘吹扫喷嘴,其对由所述基板保持部保持而旋转的基板的背面喷射吹扫气体;
吹扫气体供给机构,其向所述背面吹扫喷嘴和所述周缘吹扫喷嘴供给吹扫气体;和
控制部,其控制所述旋转驱动机构和所述吹扫气体供给机构,
所述背面吹扫喷嘴具有在俯视时从基板的中心侧延伸到周缘侧的缝隙状的开口部,所述缝隙状的开口部与由所述基板保持部保持的基板之间的铅直方向距离随着靠近所述缝隙状的开口部的基板中心侧的端部而变宽,
所述周缘吹扫喷嘴设置成向着基板的背面中的、比所述背面吹扫喷嘴的所述缝隙状的开口部的基板周缘侧的端部更靠外侧且比基板的周缘的端面靠内侧的区域,将吹扫气体向基板的中心部喷射,
所述控制部通过控制所述旋转驱动机构和所述吹扫气体供给机构,在清洗液向基板的供给停止后,一边使附着有清洗液的基板旋转,一边从所述背面吹扫喷嘴和所述周缘吹扫喷嘴向着基板的背面喷射吹扫气体。
2.如权利要求1所述的基板液体处理装置,其特征在于:
所述缝隙状的开口部具有基板半径的1/4以上的长度。
3.如权利要求1所述的基板液体处理装置,其特征在于:
所述控制部控制所述旋转驱动机构,使得所述基板的转速为3rpm~30rpm。
4.如权利要求1所述的基板液体处理装置,其特征在于:
所述背面吹扫喷嘴的所述缝隙状的开口部的所述基板周缘侧的端部在俯视时位于由所述基板保持部保持的基板的半径方向的直线上,所述缝隙状的开口部的所述基板中心侧的端部位于所述半径方向的直线上,或者位于比所述半径方向的直线在基板的旋转方向上前进了的位置。
5.如权利要求1所述的基板液体处理装置,其特征在于:
所述背面吹扫喷嘴设置成将吹扫气体以相对于基板的背面逆着基板的旋转方向倾斜地入射的方式喷射。
6.如权利要求1所述的基板液体处理装置,其特征在于:
所述缝隙状的开口部与由所述基板保持部保持的基板之间的铅直方向距离中,所述基板中心侧的端部的距离为在所述基板周缘侧的端部的距离的大约2倍。
7.如权利要求1所述的基板液体处理装置,其特征在于:
所述周缘吹扫喷嘴具有缝隙状的开口部,并且该开口部沿着基板的周缘的切线方向延伸。
8.如权利要求1所述的基板液体处理装置,其特征在于:
所述周缘吹扫喷嘴设置成向着从基板的周缘的端面起在半径方向内侧2mm~10mm范围内的规定距离内侧的位置喷射吹扫气体。
9.如权利要求1所述的基板液体处理装置,其特征在于:
所述背面吹扫喷嘴构成为在基板背面的半径方向的直线上垂直地喷射气体。
10.如权利要求1~9中任一项所述的基板液体处理装置,其特征在于:
还包括包围基板保持部的筒状体,所述筒状体在该筒状体的上端与由所述基板保持部保持的基板的背面之间形成狭窄间隙。
11.如如权利要求10所述的基板液体处理装置,其特征在于:
所述筒状体具有从所述上端向斜下方延伸随着向外方去而变低的倾斜面,沿着所述倾斜面的周向设置有用于对基板的背面喷射气体的气体喷出孔。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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