[发明专利]用于电流变换器的保护电路以及具有保护电路的电流变换器在审
申请号: | 201380065720.X | 申请日: | 2013-11-07 |
公开(公告)号: | CN105191043A | 公开(公告)日: | 2015-12-23 |
发明(设计)人: | M·扬科夫斯基 | 申请(专利权)人: | 菲尼克斯电气公司 |
主分类号: | H02H9/04 | 分类号: | H02H9/04;H01F27/40;G01R1/36;G01R19/00;H01F38/20;H02H7/04 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 张立国 |
地址: | 德国勃*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 电流 变换器 保护 电路 以及 具有 | ||
1.用于电流变换器(10)的保护电路,所述保护电路用于阻止电流变换器(10)的次级电路(10.1)上的次级电压(Us)超过次级电压阀值,所述保护电路包括:
-保护电路输入端(12.1),所述保护电路输入端能耦合到电流变换器(10)的次级电路(10.1)上,从而次级电压(Us)施加在保护电路输入端(12.1)上,
-与保护电路输入端(12.1)相连接的控制单元(16),以及
-与保护电路输入端(12.1)相连接的开关单元(18),所述开关单元与控制单元(16)可操控地连接,
其中,
-所述控制单元(16)构成为用于在对由次级电压(Us)超过次级电压阀值进行响应的情况下将控制信号提供到开关单元(18)上,
-所述开关单元(18)构成为用于在对由控制单元(16)所提供的控制信号进行响应的情况下使保护电路输入端(12.1)短路,以及
-所述开关单元(18)构成为半导体电路。
2.根据权利要求1所述的保护电路,其特征在于以下特征中的至少一个:
-所述控制单元(16)直通地或直接地与保护电路输入端(12.1)相连接;
-所述开关单元(18)直通地或直接地与保护电路输入端(12.1)相连接;
-所述保护电路(12)包括与所述保护电路输入端(12.1)相连接的用于过压保护的限制单元(14)。
3.根据权利要求1或2之一所述的保护电路,其特征在于,所述控制单元(16)包括下列组件中的一个或者多个:
-比较器单元(16.2),所述比较器单元构成为:如果比较器单元(16.2)的输入端电压超过阀值则用于将所述控制信号提供到开关单元(18)上,
-与保护电路输入端(12.1)相连接的整流器(16.1),所述整流器用于提供与次级电压(Us)的幅值相关的、优选是脉冲的直流电压(Ug)作为比较器单元(16.2)的输入端电压。
4.根据上述权利要求之一所述的保护电路,其特征在于,所述比较器单元(16.2)包括下列组件中的一个或者多个:
-具有正输入端、负输入端以及输出端的比较器(K),大约为比较器单元(16.2)的输入端电压水平的电压施加在所述负输入端上,所述输出端提供控制信号;
-分压器(R2、R3),其中,所述正输入端与比较器单元(16.2)的输入端电压通过分压器(R2、R3)相连接;
-稳压二极管(D2),所述稳压二极管与负输入端相连接,用于限制施加在负输入端上的电压;
-电容器(C),所述电容器与所述正输入端相连接。
5.根据上述权利要求之一所述的保护电路,其特征在于,所述开关单元(18)包括下列组件中的一个或者多个:
-至少一个MOSFET;
-两个以背靠背接线设置的MOSFET(T1、T2);
-与(i)一个MOSFET或者(ii)多个MOSFET并联布置的固态继电器(SSR);
-双向可控硅;
-用于耦合控制信号的光电耦合器。
6.根据上述权利要求之一所述的保护电路,其特征在于,所述限制单元(14)包括下列组件中的一个或者多个:
-瞬态抑制二极管(D1);
-压敏电阻;
-气体放电保护装置。
7.电流变换器,所述电流变换器具有根据上述权利要求之一所述的保护电路(12)。
8.根据上述权利要求所述的电流变换器,其特征在于,所述保护电路(12)容纳在壳体(10.2)中、特别是容纳在电流变换器(10)的次级接线盒(10.3)中。
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